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用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光（CMP）技术研究 2006年9月 第9期(总第181期) 润滑与密封 LUBRICATIONENGINEERING Sep.2006 No.9(serialNo.181) 用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究 梅燕韩业斌聂祚仁 (北京丁业大学材料科学与工程学院北京100022) 摘要:化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一的叮以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术,已被越来 越广泛地应用到了半导体领域.重点叙述了CMP技术背景,设备,抛光原理,发展现状,存在的问题以及未来的发展 趋势. 关键词:化学机械抛光(CMP)技术;浆料;硅片 中图分类号:0484.4;TGI15.58文献标识码:A文章编号:0254—0150(2006)9—206—7 ResearchProgressofCMPTechnologyinUltra-precision SurfaceofSingle-crystalSilicon MeiYanHanYebinNieZuoren (CollegeofMaterialsScienceandEngineering,BeijingUniversityofTechnology,Beijing100022,China) Abstract:AtrueglobalplanarizationcanbeachievedonlybyCMPtechnologyfightnow.anditisusedmoreandmore widelyinsemi—conductorfield.Thebackgroundofthetechnology,theusedequipment,themechanismofsiliconpolishing, thecurrentsituation,existentproblemandthetrendinthefuturewereintroduced. Keywords:chemicalmechanicalpolishing(CMP)technology;slurry;silicon 随着微电子技术的迅猛发展,对电子器件的要求 越来越高,传统的大型器件的设计已不能满足当今微 型化,高速化,精密化的迫切要求.作为基底材料硅 晶片的尺寸越来越大,已由原来的+200mm向+300 mm转化;而其特征尺寸越来越小,由原来的0.25 Ixm到0.18m进而发展到0.13Ixm,预计在未来的 几年内将达到0.10m.这种情况的存在使得硅片表 面的微小缺陷便可导致整个器件报废的后果,所以硅 片的抛光就成为半导体制造加工技术上最重要的一道 工序.抛光质量直接影响击穿特性,界面态和少子寿 命,对集成电路(IC)特别是超大规模集成电路 (ULSI)影响更大.因此,抛光硅片的表面质量直接 关系到Ic器件的性能质量和成品率0. 目前普遍认为,对于最小特征尺寸在0.35m 及以下的器件,必须进行全局平面化,即全局平面化 技术的发展势在必行,而化学机械抛光(CMP, ChemicalMechanicalPolishing)是作为目前唯一的可 以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术. 1CMP技术出现的历史背景及国内外研究概况 常见的传统平面化技术很多,如热流法,旋转式 收稿日期:2005—06—21 作者简介:梅燕(1967一),女,博士,副教授,研究方向:超 微材料的制备,性能及在硅晶片CMP上的应用.E-mail:mPi,all @emails.bjuLedu.cn. 玻璃法,回蚀法,电子环绕共振法,选择淀积,低压 CVD,等离子增强CVD,淀积一腐蚀一淀积等,这些 技术在Ic工艺中都曾得到应用,但它们都属于局部 平面化技术,不能做到全局平面化. 20世纪60年代中期以前,半导体基片抛光大都 沿用机械抛光,例如采用氧化镁,氧化锆,纯氧化铬 等方法,得到的镜面表面损伤极其严重.1965年 Walsh和Herzog提出SiO,溶胶和凝胶抛光即化学机 械抛光(CMP)技术,以SiO,CMP浆料为代表的 CMP工艺就逐渐代替了上述旧方法,之后逐渐被 应用起来.20世纪80年代中期,美国IBM公司利用 Strasbaugh公司的抛光机在EastFishKill工厂进行工 艺开发,才使得CMP技术在Ic制造用基材硅的粗抛 与精抛方面有了用武之地.1988年,IBM公司开始 将CMP工艺用于4MDRAM器件的制造.几乎所有的 半导体制造技术都是从大学或国防研究实验室开发出 来,而后顺利而迅速地在各种会议和研究报告中传 播,并逐步进入工业化生产的.然而,CMP技术却 不同,该技术一直是由一些主要器件和设备制造厂家 们通力合作而开发出来的.1990年,IBM公司便向 Micron—Techno