几种全控型晶体管讲解.ppt

4) 直流输入电阻 R GS 直流输入电阻是指漏源间短路时，栅源间的直流电 阻值，一般大于 10+8 Ω 。 5) 漏源击穿电压 U (BR)DS 漏源击穿电压是指漏源间能承受的最大电压，当 U DS 值超过 U (BR)DS 时，栅漏间发生击穿， I D 开始急剧增加。 6 ）栅源击穿电压 U (BR)GS 栅源击穿电压是指栅源间所能承受的最大反向电压， U GS 值超过此值时，栅源间发生击穿， I D 由零开始急剧增 加。 7 ）最大耗散功率 P DM 最大耗散功率 P DM = U DS I D ，与半导体三极管的 P CM 类似，受管子最高工作温度的限制。 2. 注意事项 (1) 在使用场效应管时，要注意漏源电压 U DS 、漏 源电流 I D 、栅源电压 U GS 及耗散功率等值不能超过最大 允许值。 (2) 场效应管从结构上看漏源两极是对称的，可以 互相调用，但有些产品制作时已将衬底和源极在内部 连在一起，这时漏源两极不能对换用。 (3) 结型场效应管的栅源电压 U GS 不能加正向电压， 因为它工作在反偏状态。通常各极在开路状态下保存。 (4) 绝缘栅型场效应管的栅源两极绝不允许悬空，因 为栅源两极如果有感应电荷，就很难泄放，电荷积累会 使电压升高，而使栅极绝缘层击穿，造成管子损坏。因 此要在栅源间绝对保持直流通路，保存时务必用金属导 线将三个电极短接起来。在焊接时，烙铁外壳必须接电 源地端，并在烙铁断开电源后再焊接栅极，以避免交流 感应将栅极击穿，并按 S 、 D 、 G 极的顺序焊好之后，再 去掉各极的金属短接线。 (5 ）注意各极电压的极性不能接错。 3.4 场效应管放大电路简介 由于场效应管具有输入电阻高的特点，它适用于 作为多级放大电路的输入级，尤其对高内阻的信号源， 采用场放管才能有效地放大。  场效应管与晶体三极 管比较，源极、漏极、栅极相当于发射极、集电极、 基极，即 S→e ， D→c ， G→b 。场效应管有共源极放 大电路和源极输出器两种电路。下面就这两种电路进 行静态和动态分析。  3.4.1 场效应管放大电路的静态分析  场效应管是电压控制器件，它没有偏流，关键是 建立适当的栅源偏压 U GS 。  1. 自偏压电路分析  结型场效应管常用的自偏压电路如图 3.14 所示。 在漏极电源作用下 ) ( 0 S D D DD DS S D S D S G GS R R I U U R I R I U U U ? ? ? ? ? ? ? ? ? 这种电路不宜用增强型 MOS 管，因为静态时该电 路不能使管子开启（即 I D =0 ）。 ＋ － C 1 R D ＋ V C 2 R L ＋ U DD U i . G R G R S C S D S I D － U o . 图 3.14 自偏压电路图 2. 分压式自偏压电路  分压式偏置电路如图 3.15 所示，其中 R G1 和 R G2 为 分压电阻，  S D G G G DD S D G GS R I R R R U R I U U ? ? ? ? ? 2 1 2 式中 U G 为栅极电位，对 N 沟道耗尽型管， U GS ＜ 0 ，所以， I D R S > U G ；对 N 沟道增强型管， U GS >0 ， 所以 I D R S < U G 。  ＋ － C 1 R D ＋ C 2 ＋ U DD U i . G R G2 R S C S D S I D － U o . R G3 R G1 图 3.15 分压式偏置电路 1.3.4 绝缘栅双极晶体管 ■ GTR 和 GTO 是双极型电流驱动器件，由于具有 电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较 低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而功率 MOSFET 是单极型电压驱动器件，开关速度快， 输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱 动电路简单。 绝缘栅双极晶体管（ Insulated-gate Bipolar Transistor —— IGBT 或 IGT ） 综合了 GTR 和 MOSFET 的优点，因而具有良好的特性。 1.3.4 绝缘栅双极晶体管 ■ IGBT 的结构和工作原理 ◆ IGBT 的结构 ? 是三端器件，具有 栅极 G 、 集电极 C 和 发射极 E 。 ? 由 N 沟道 VDMOSFET 与 双 极型晶体管 组合而成的 IGBT ， 比 VDMOSFET 多一层 P + 注入 区，实现对漂移区电导率进行调 制，使得 IGBT 具有很强的 通流 能力。 ? 简化等效电路表明， IGBT 是用 GTR 与 MOSFET 组成的 达 林顿 结构，相当于一个由 MOSFET 驱动的厚基区 PNP 晶 体管。 图 2-23 IGBT 的结构、 简