第五章 MOS场效应管的特性讲诉.ppt

MOSFET 的噪声来源主要由两部分： ? 热噪声 (thermal noise) ? 闪烁噪声 (flicker noise ， 1/f-noise) 5.5 MOSFET 的噪声 MOS 管特性 ? 有源器件的噪声特性对于小信号放大器和振荡器等模拟电 路的设计是至关重要的； ? 所有 FET(MOSFET, MESFET 等 ) 的 1/ f 噪声都高出相应的 BJT 的 1/ f 噪声约 10 倍。这一特征在考虑振荡器电路方案时必 须要给予重视。 f g T v ? ? ? m 2 eg 3 2 ? ? ? 2 eg v I ds 热噪声 n 是由沟道内载流子的无规则热运动造成 的，通过沟道电阻 生成热噪声电压 v eg ( T ， t ) ，其等效电压值可近似表达为 D f 为所研究的频带宽度 , T 是绝对温度 . 设 MOS 模拟电路工作在饱和区 , g m 可写为 结论：增加 MOS 的栅宽和偏置电流，可减小器件的热噪声 MOS 管特性 DS ox T gs ox m I L t W V V L t W g ?? ?? 2 ) ( ? ? ? ? ? ? 2 eg v W f f WL t K v f ? ? ? ? 1 ox 2 2 / 1 闪烁噪声 (flicker noise ， 1/ f -noise) ? 形成机理：沟道处 SiO 2 与 Si 界面上电子的充放电 ? 闪烁噪声的等效电压值 系数 K 2 典型值为 3 ? 10 24 V 2 F/Hz 。 因为 ?? 1 ，所以闪烁噪声被称之为 1/ f 噪声 。 ? 电路设计时，增加栅宽 W ，可降低闪烁噪声。 MOS 管特性 5.6 MOSFET 尺寸按比例缩小 ( Scaling-down ) ? ? 2 T g s o x d s 2 V V L W t I ? ? ? ? ? MOSFET 尺寸缩小对器件性能的影响 饱和区 结论 1 ： L ? ? I ds ? t ox ? ? I ds ? L ? + t ox ? ? I ds ?? 减小 L 和 t ox 引起 MOSFET 的 电流控制能力提高 结论 2 ： W ? ? I ds ? ? P ? 减小 W 引起 MOSFET 的电 流控制能力和输出功率 减小 结论 3 ： ( L ? + t ox ? +W ? ) ? I ds=C ? A MOS ? 同时减小 L ， t ox 和 W ， 可保持 I ds 不变，但导致 器件占用面积减小，集 成度提高。 总结论：缩小 MOSFET 尺寸是 VLSI 发展的总趋势！ Scaling-down MOSFET 尺寸缩小对器件性能的影响 1 减小 L 引起的问题 : L ?? V ds=C ? E ch ? ， V dsmax ? , 即在 V ds ≤ V dsmax 不变的情 况下，减小 L 将导致击穿电压降低 . 解决方案： 减小 L 的同时降低电源电压 VDD 。 降低电源电压的关键： 降低开 启电压 VT Scaling-down Scaling-down L( ? m) 10 2 0.5 0.35 0.18 V T (V) 7-9 4 1 0.6 0.4 V DD (V) 20 12 5 3.3 1.8 缩小尺寸后：栅长、阈值电压、与电源电压对比 降低 V T 的方法 ： 1) 降低衬底中的杂质浓度，采用高电阻率的衬底 ; 2) 减小 SiO 2 介质的厚度 t ox 。 2 MOSFET 的动态特性影响 I ds ： I ds ( V gs ) R ： R metal , R poly-Si , R diff C ： C gs, C gd , C ds , C gb , C sb , C db , C mm , C mb C g = C gs +C gd + C gb ; 关键电容值 其等效于一个含有受控源 I ds 的 RC 网络。 MOSFET 的动态特性 ( 即速度 ) ，取决于 RC 网络的充放电的快慢，进而取决于 – 电流源 I ds 的驱动能力，即跨导的大小； – RC 时间常数的大小， – 充放电的电压范围，即电源电压的高低 . S