单晶铜键合丝的球键合性能研究_图文.doc

单晶铜键合丝的球键合性能研究 丁雨田　胡立杰　胡　勇　曹文辉 (兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室 摘　要　通过对自制单晶铜键合丝进行球键合工艺试验,并对键合后焊点分别进行键合拉力(BP T 和剪切力(BST 测试,以及对键合点的组织、界面进行观察和显微硬度测试。结果表明,单晶铜键合丝进行球键合后,焊点所能承受的拉断力和剪切力均为近似正态分布,具有较高的可信度,<50μm 的单晶铜键合丝的CP K 值达到1.8以上,属于优质的过程能力指数。焊点经过可靠性试验后,界面依然清晰、较为平直,没有发现界面处形成微量弥散分布的金属间化合物和K irkendall 空洞,表现出稳定的电学和界面组织性能。 关键词　单晶铜键合丝;球键合;可靠性中图分类号　T G 146.1+1　　　　文献标志码　A 　文章编号　1001-2249(200906-0582-04 DOI :10.3870/tzzz.2009.06.030 收稿日期:2008211217;修改稿收到日期:2009201210 基金项目:甘肃省科技攻关资助项目(2GS0642A522036205 第一作者简介:丁雨田,男,1962年出生,教授,兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室,兰州(730050,电话:138********, E -mail :dingyt @ 　　随着半导体器件和集成电路在工程和商业上的广泛应用,对器件键合系统的可靠性要求越来越高。键合系统失效对器件长期使用的可靠性影响很大,在半导体器件的失效模式中,键合系统失效占1/4~1/3[1,2]。因此进行新型单晶铜键合试验的关键问题是内引线的可键合性和可靠性。单晶铜键合丝具有较高的电导率、优良的力学性能和热学性能,在很大程度上提高了芯片频率和可靠性,适应了低成本、细间距、高引出端元器件封装的发展,成为替代传统键合丝的最佳材料[3]。本课题拟通过单晶铜键合丝的球键合试验和温度循环及电耐久等可靠性试验,探讨单晶铜键合丝的键合性能及键合的可靠性,为单晶铜键合丝的产业化生产与应用提供必要的理论依据。 1　球键合工艺试验 1.1　试验方法及试样制备 试验键合丝采用高真空熔炼氩气保护热型连铸设备制备的单晶铜键合丝坯料,经过多道次冷拉拔而成形[4]。试验采用ASM Eagle60型铜丝键合设备,键合过程中采用95%的N 2+5%的H 2混合气体保护;采用自制的<50μm 单晶铜键合丝,拉断力为0.39~0.54N ,伸长率为15%~25%;劈刀型号U TSDIC 258K L 2AZM 21/162XL ;芯片表面Al 金属层厚度为3μm 。 键合点拉力试验设备为Dage series 4000,拉球速度为2500.0μm/s 。剪切试验设备为Dage series 4000P ,剪切高度为5.0μm ,推球速度为500.0μm/s 。金相试样制备,首先采用自凝牙托粉进行密封,在不同粒度的水砂纸上进行打磨,当键合焊点刚刚露出,采用粒度为1.0μm 的金刚石悬浊液在金丝绒抛光布 上进行抛光。腐蚀液采用2g K 2Cr 2O 7+4mL 饱和NaCl 溶液+10mL 浓H 2SO 4+100mL H 2O ,在M EF3型金相显微镜上进行显微组织观察。 铜焊点的显微硬度测试采用型号为HX 21000TM 的显微硬度仪,载荷为0.098N ,保持时间为10s 。1.2　单晶铜键合点键合强度分析 图1为单晶铜引线拉断力分布图,从图1可以看出,单晶铜球焊点的拉力呈近似正态分布,这说明了试验结果具有一定的可信度。按照M IL 2STD 2883E 的规定[5],要求键合拉断力必须大于0.12N ,而试验测得拉断力平均值为0.41N ,因此单晶铜丝的键合拉断力满足质量标准 。 图1　Cu 2Al 球焊引线拉断力分布图 在对键合丝强度进行分析时引用了CP K (Process Capability index 值,即过程能力指数[6]。CP K 值越大,产品质量特性值的分散就会越小;CP K 值越小,产品质量特性值的分散就会越大。<50μm 的单晶铜键合丝的CP K 值为1.8,属于优质的过程能力指数。焊点拉断的失效模式均为在球颈部断开,这是因为在球键合的过程中,第一球焊点和第二楔焊点在较大的超声波能量下与衬底结合,结合面积和结合力都较大,使得在球 2 85特种合金特种铸造及有色合金　2009年第29卷第6期 颈部断裂,是键合强度较好的断裂模式[7]。 图2为球焊引线剪切力分布图,从图2可以看出,单晶铜键合丝的键合剪切力也为近似正态分布,这说明了试验结果有较高可信度。<50μm 的单晶铜键合丝的CP K 值为2.5,属于特优的过程能力指数。随着球焊过程中超声能量的升高,使得球与衬底结合的紧密度有限,在做