tio光催化氧化技术.pptxVIP

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第4章 TiO2光催化氧化技术;;4.1概述;4.1.1.1均相光催化氧化 光降解反应包括无催化剂和有催化剂的光化学降解,后者称光催化降解。一般分为均相、非均相两种类型。均相光催化降解主要指UV/Fenton试剂法,即以Fe 2+或Fe 3+及H2O2为介质,通过光助-芬顿反应使污染物得到降解,此类反应能直接利用可见光。 4.1.1.2非均相光催化降解 在污染体系中投加一定量的光敏半导体材料,同时结合一定能量的光辐射,使光敏半导体在光的照射下激发产生电子-空穴对,吸附在半导体上的溶解氧、水分子等与电子-空穴作用,产生·OH等氧化性极强的自由基,再通过与污染物之间的羟基加合、取代等使污染物全部或接近全部矿化,最终产物为H2O和CO2及其他离子。 ;1972年,日本的Fujishima 在半导体TiO2电极上发现了水的光催化分解作用,从而开辟了半导体光催化这一新的领域。 1977年,Yokota发现光照条件下,TiO2对丙烯环氧化具有光催化活性,拓宽了光催化应用范围,为有机物氧化反应提供了一条新思路。 此后,光催化技术在环保、卫生保健、有机合成等方面的应用研究发展迅速,半导体光催化成为国际上最活跃的研究领域之一。;4.1.2光催化氧化技术应用前景;常规污染物方法包括:高温焚烧,活化污泥处理,厌氧消化和一些常规物理化学处理。;利用光催化原理处理有机物,不仅可以直接利用太阳能,而且对有机物的处理比较彻底,不带来新的污染源 ;4.2 TiO2光催化氧化技术; 半导体是指电导率在金属电导率(约104~106Ω/cm)和电介质电导率( <1-10 Ω/cm)之间的物质,一般的它的禁带宽度Eg小于3eV。 ; 实际半导体中,由于半导体材料中不可避免地存在杂质和各类缺陷,使电子和空穴束缚在其周围,成为捕获电子和空穴的陷阱,产生局域化的电子态,在禁带中引入相应电子态的能级。N型半导体的缺陷能级Ed靠近导带,P型半导体的Ea靠近价带。 ;λg (nm)=1240/Eg (eV) ; 当半导体近表面区在受到能量大于其禁带宽度能量的光(hv)辐射时,价带中的电子会受到激发跃迁到导带,价带上形成空穴(h+),而导带则带有电子(e-),在半导体中产生电子-空穴对。;当光能等于或超过半导体材料的带隙能量时,电子从价带(VB)激发到导带(CB)形成光生电子-空穴。 价带空穴是强氧化剂,而导带电子是强还原剂。 空穴与H2O或OH-结合产生化学性质极为活泼的自由基基团( HO . ) 电子与O2结合也会产生化学性质极为活泼的自由基基团(.O2-, HO . 等) 空穴,自由基都有很强的氧化性,能将有机物直接氧化为CO2, H2O;空穴具有很强的得电子能力(氧化性), 可被H2O、OH-捕获生成·OH。 可直接夺取半导体表面有机物或其他物质的电子进行氧化作用。 电子居于较高能量状态,可被吸附氧(O2)捕获,生成·O2-自由基。 研究结果证明,·OH和·O2-是光催化氧化过程中主要氧化剂 ,理论上几乎可将水中所有有机物氧化,甚至最终产物为H2O和CO2。;TiO2半导体有三种晶体结构,分别为: 锐钛矿 金红石 板钛矿 从稳定性来说, 金红石最稳定,从低温到熔点都不会发生晶相转变; 锐钛矿次之,在室温下稳定; 板钛矿很少见。;金红石型;催化活性;TiO2光催化剂的优点; ; ;水解法;沉淀法;水热法;微乳液法;微乳液法;溶胶-凝胶法;溶胶-凝胶法(Sol-Gel) (前驱体(TNB)) ;4.2.3 光催化反应器;光催化反应器的分类;一、光源的不同;二、流态不同;悬浮型;固定型;流化床;三、聚光不同;聚 焦 型;优点:反应器污水以湍流形式在通道中循环流动,粉末悬浮流速可达0.57m/s,水力条件好,催化剂分布均匀,不易沉淀。还能同时利用太阳光的直射和散射部分,具有较高光效率。 缺点:催化剂的固液分离问题;四、旋转式光催化反应器;转盘式光催化反应器;圆筒式旋转式光催化反应器;共同特点:反应器主体可以旋转,同时在旋转器上形成液膜。 优点:解决了固液分离问题。 缺点:固定在器壁上的催化剂利用率低且容易钝化。;五、光学纤维束光催化反应器;催化剂;1. 催化剂 TiO2晶体结构的影响 在 TiO2的三种晶型锐钛矿、金红石和板钛矿中,锐钛矿表现出较高的活性,原因如下: ;TiO2表面结构的影响 光催化过程主要在催化剂表面发生,对于单纯的TiO2光催化剂,影响其光催化剂,影响其光催化活性的表面性质如下: ;催化剂颗粒直径的影响 催化剂粒子的粒径越小,单位质量的粒子数越多,比表面积越大,催化活性越

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