华工模拟电子技术随堂练习.docx

第1章常用半导体器件 当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。 TOC \o "1-5" \h \z N型半导体的多数载流子是电子，因此它应 （）。 带负电 B.带正电 C.不带电 参考答案：C 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将 （）。 变窄 B.变宽 C.不变 参考答案：B 3.二极管的死区电压随环境温度的升高而 （）。 增大 B.不变 C.减小 参考答案：C ui=10sin至2时，输岀电压最大值参考答案：C4. ui=10sin至2时，输岀电压最大值 参考答案：C 4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压 为10V的电路是（ , ,ui=40sin w tV则输岀电压 uO应为（）。 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管， 设U1=10V A.最大值为 40V， B.最大值为 40V， C.最大值为 10V， D.最大值为 10V， 最小值为0V 最小值为+10V 最小值为—40V 最小值为0V 参考答案：D A.稳定电压 二与相应电流IZ之比 4 4 稳压管端电压变化量 丄UZ与相应电流变化量 門IZ的比值 稳压管正向压降与相应正向电流的比值 参考答案：B 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是 （）。 PNP管的集电极 B.PNP管的发射极 C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极 参考答案：B 8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为 VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型 为（）。 NPN 型错管 B.PNP型错管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管 参考答案：A 第2章基本放大电路 当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流 （）。 A.反向 B.近似等于零 C.不变 D.增大 参考答案：B 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为 （）。 发射结反偏，集电结正偏 发射结、集电结均反偏 发射结、集电结均正偏 发射结正偏、集电结反偏 参考答案：C 晶体管的电流放大系数 「是指（ ）。 工作在饱和区时的电流放大系数 工作在放大区时的电流放大系数 工作在截止区时的电流放大系数 参考答案：B 低频小功率晶体管的输入电阻 rbe等于（ 纽300C+Q+妙辿型 ； B. 丄 300Q+26 300Q+ 26 mV C. 参考答案：B TOC \o "1-5" \h \z 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻 RC ,根据图中的数据判断该管处在 （ ） A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态 参考答案：B 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为 （ ） P沟道耗尽型MOS管 N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压 --II约 为（ ）。 0V B. + 2V C. — 2V D. — 1V 4+2V32OVS2460+1V26/VC\q3九旳)。—切参考答案：CUDS=10V , UGS=0V 处的跨导 4 +2V 3 2 OV S 2 4 6 0 +1V 2 6 /V C\ q 3九旳 )。 —切 参考答案：C UDS=10V , UGS=0V 处的跨导gm约为 A.ImA.N B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V 参考答案：A A.RL B.RB C.C1 D.C2 参考答案：B 9.如图示放大电路中接线有错误的元件是 ( 10.放大电路如图所示，由于 RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失 真，正确的做法是( )。 8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在 ( )。 A.适当增加RB2，减小RB1 B.保持RB1不变，适当增加 RB2 C.适当增加 RB1，减小RB2 D.保持RB2不变，适当减小 RB1 参考答案：C 第2章基本放大电路 当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。 11.图示电路，已知晶体管 :，忽略UBE，如要将集电极电流 IC调整到 1.5mA.，RB 应取( )。 480kW B.120kW C.240kW D.360kW 参考答案：A 12.电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位 UC应等于 ( )。 6V B.0V C.0.6V D.5.3V 参考答案：A ）。14.单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点 Q如图所示，欲使工作点移至 Q'需使（RB ）。 14.单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图 13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点 Q如图所示，欲使工作点移至 Q'需使（ RB减小 2