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发射
发射
扩散
()一般情形发射
(b)薄势垒
扩散
c)对应于扩散理论的情形
图8.4¨不同情形下势垒区中费米能级的变化
§8.2.3扩散理论及扩散理论和两极管理论的结合
当势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时,电子通
过势垒区要发生多次碰撞,这样的阻挡层称为厚阻挡
层。扩散理论正是适用于厚阻挡层的理论。势垒区中
存在电场,有电势的变化,载流子浓度不均匀。计算
通过势垒的电流时,必须同时考虑漂移和扩散运动
设费米能级的降落全部在半导体中表面.根据式
nu dE
(8-2-11)
势垒区内n不是恒定的,因而dEx也不是恒定的
用Nexp-(E。E从们代替m,可把上式改写为
p
)=expG)(8-2-12)
kTLM
kt dx
kT
设在空间电荷区中迁移率μ保持不变,把金属半导
体界面的坐标定为0.对上式进行积分,得到
eLk dx= expe
E(d)
exp
kTuN Jo
kT
kT
E(O)(
exp(
)(e
(8-2-13)
kT
上式被积函数是指数函数,对积分的主要贡献来自
x=0附近,因为x=0处Ec最高.因此,可作如下近似
Ec(x=Eco-eExr
(8-2-14)
EM是界面处空间电荷区最大电场
求式(8-2-13)中的积分
eseli dx≈exp
kr Jo exp eEy-t
E(0
k r
k7
EE(O)
exp(
kT
(8-2-15
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