晶须生长原理及制备的方法简述.ppt

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2020-07-13 发布于福建
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晶须生长原理及制备的方法简述.ppt

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晶须生长原理及制备方法简述罗中元 svr 晶须生长过程以圆柱形晶须生长为例) Dislocation step Diffusion =8v2wav5N 晶须根部生长示意图(ZnO) 影响圆柱形晶须生长的因素 1位置:一个原子在界面上叠合时释放的能量越大,原子结合的稳定性就越大,该位置就越有利于原子的叠合。光滑面上不同位置原子叠合的稳定性的大小顺序是:扭折界面>光滑平面>光滑面边缘。位置决定了晶体生长的方向。 2粒子扩散速率:对于半径为r的晶须,其轴向(径向) 生长速率为x/rⅸx为晶须表面到能被吸附的原子的距离) 乘以原子直接碰撞在晶须尖端(侧表面)的速率。扩散速率决定了晶须轴向以及径向生长速率。生长圆柱形晶须需要注意的措施 1尽量构造螺位错型台阶供晶须生长。 2控制较小的稳定的过饱和度。 2②國 (1)