半导体物理 第九章.ppt

9.1.3 其他吸收过程 实验证明，波长比本征吸收限?0长的光波在半导体中往往也能被吸收。 除了本征吸收外，还存在着其他的光吸收过程，主要有激子吸收、杂质吸收、自由载流子吸收等。研究这些过程，对于了解半导体的性质以及扩大半导体的利用，都有很大的意义。 1．激子吸收 在本征吸收限，h?0=Eg，光子的吸收恰好形成一个在导带底的电子和一个在价带顶的空穴。这样形成的电子是完全摆脱了正电中心束缚的“自由”电子，空穴也同样是“自由”。 由于本征吸收产生的电子和空穴之间没有相互作用，它们能互不相关地受到外加电场的作用而改变运动状态，因而使电导率增大(即产生光电导)。 当光子能量h?≥Eg时，本征吸收形成连续光谱。 激子在晶体中某一部位产生后，并不停留在该处，可以在整个晶体中运动；但由于它作为一个整体是电中性的，因此不形成电流。 激子在运动过程中可以通过两种途径消失：一种是通过热激发或其他能量的激发使激子分离成为自由电子或空穴；另一种是激子中的电子和空穴通过复合，使激子消灭而同时放出能量(发射光子或同时发射光子和声子)。 直接激子 指由能带极值处同一k值的电子和空穴所形成的激子．假设能带极值在k=0处．只有k?0附近的价带电子能够通过竖直跃迁形成直接激子．在其它k值处，价带电子在竖直跃迁中形成的电子和空穴的动量的方向相反，不能满足电子、空穴的相对运动局域化的要求． 因此引起直接激子跃迁的光子能量受到了严格的限制．考虑到激子态的束缚能，直接激子吸收将在吸收阈值的低能量一边产生一系列的分立吸收线，对应于形成基态激子和各种激发态激子．对于类氢情形，这些吸收线与基本吸收阈值的距离(激子的束缚能)为 图10-9和图10-10分别为激子能级和激子吸收光谱示意图。在激子基态和导带底之间存在着一系列激子受激态，如图10-9所示。图10-10中本征吸收长波限以外的激子吸收峰，相当于价带电子跃迁到相应的激子能级。显然，激子吸收所需光子的能量h?小于禁带宽度Eg. 图中第一个吸收峰相当于价带电子跃迁到激子基态；(n=1)，吸收光子的能量是 ；第二个吸收峰相当于价带电子跃迁到n=2的受激态。n>2时，因为激子能级已差不多是连续的，所以吸收峰已分辨不出来，并且和本征吸收光谱合到一起。 对于半导体，激子能级非常接近。实验观测时，激子吸收线常密集在本征吸收的长波限上分辨不出来，必须在低温下用极高鉴别率的设备才能观察到。对如Ge和Si等半导体，因为能带结构复杂，并且有杂质吸收和晶格缺陷吸收的影响，激子吸收不容易被观察到。 自由载流子带间跃迁引起的吸收 由于常见半导体中价带顶结构的复杂性，引起自由空穴的吸收是另一种类型的跃迁：在价带不同分支之间的直接跃迁。 图9.29所示为价带中有可能发生在红外的直接跃迁. 所谓Ge的价带是由三个独立的能带组成的。每一个波矢k有三个状态，分属于三个带。三个能带的情况可用图10-13的一维图形来表示。Ge的价带包括两个在k=0处的简并带(V1和V2)，和一个与它们分裂开的带V3。价带顶实际上是由两个简并带的顶部所组成，p-Ge的空穴主要在这两个简并带顶的附近；第三个分裂的带则经常被电子所填满。 就像价带和导带间的带间直接跃迁的吸收相似，各价带之间的跃迁的吸收谱型也决定于两个价带之间的联合态密度，但还和相关价带中的空穴分布概率有关．它在某一能量处应出现峰值． 对应于图9.29所示的三种类型的跃迁，应可存在三个吸收峰．在p-Ge的红外光谱中观测到的三个吸收峰，波长相应为3.4, 4.7和20?m. 3．杂质吸收 束缚在杂质能级上的电子或空穴也可以引起光的吸收。电子可以吸收光子跃迁到导带能级；空穴也同样可以吸收光子而跃迁到价带(或者说电子离开价带填补了束缚在杂质能级上的空穴)。 这种光吸收称为杂质吸收。 由于束缚状态并没有一定的准动量，在这样的跃迁过程中，电子(空穴)跃迁后的状态的波矢并不受限制。这说明电子(空穴)可以跃迁到任意的导带(价带)能级，因而应当引起连续的吸收光谱。 引起杂质吸收的最低的光子能量h?0显然等于杂质上电子或空穴的电离能EI(见图10-14中a和b的跃迁)；因此，杂质吸收光谱也具有长波吸收限?0，而h?0=EI。 一般地，电子跃迁到较高的能级，或空穴跃迁到较低的价带能级(图10-14中c和d的跃迁)，概率逐渐变得很小，因此，吸收光谱主要集中在吸收限EI的附近。由于EI小于禁带宽度Eg，杂质吸收一定在本征吸收限以外长波方面形成吸收带，如图10-15所示。