第二章光学晶体--晶体生长部分整理讲解学习.ppt

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第二章;1 晶体学的发展史;;;;;2 晶体的概念及基本性质;; 单晶体与多晶体; 非晶体 (无定型体) 固体 单晶:单一的晶体多面体; 双晶:两个体积大致相当的单 晶体 晶按一定规则生长; 晶簇:单晶以不同取向连在一起; 多晶:看不到规则外形的晶态物质。 ;晶体由晶胞堆积而成; 晶胞是晶体中体积最小、直角最多的平行六面体?? 晶胞代表晶体的化学组成;体现晶体的对称性。;平行六面体晶胞的边长a、b、c ,称为晶轴; 三个晶轴之间的夹角分别用?、?、? 表示。;;;;;;;;3 晶体材料的分类;;;;;;;;;;;;;;;;4 晶体研究的发展趋势;;5 晶体生长方法;5.1 溶液生长;5.1 溶液生长;1. 溶质、溶剂和溶液 溶质溶入溶剂形成单一均质溶体,为溶液。通常溶液包括水溶液,有机等溶剂的溶液和熔盐(高温溶液)。; 溶液浓度表示法: 体积摩尔浓度(mol):溶质mol数/1L溶液; 重量摩尔浓度(mol):溶质mol数/1000g溶剂中; 摩尔分数(x):溶质摩尔数/溶液总摩尔数; 重量百分数:100g溶液中含溶质g数。;3. 影响溶解度的因素: 浓度、温度;4. 相图 · 饱和曲线(溶解度曲线) · 不饱和区(稳定区);5. 晶体生长区 由图5.1可见,稳定区晶体不可能生长;不稳定区晶体可以生长,但是,不可能获得单一晶体;在亚稳过饱和区,通过籽晶生长可以获得单晶。;6. 溶剂的选择和水溶液的结构;7. 实现晶体连续生长的原理 为了实现晶体连续生长,溶液浓度必须维持在晶体生长区,即亚稳过饱和区。 (1)降温法:依靠溶液过冷以获得过饱和。适宜于溶解度和溶解温度系数大的溶体。 (2)恒温蒸发法:依靠相对提高浓度以获得过饱和。溶解温度系数较小或负温度系数的溶体,可以选用该方法。;(1)可以在较低温度下生长高熔点物质晶体。通常情况下,晶体熔点远远高于溶液法生长晶体的温度。这样就克服了高温下有晶型转变的困难,同样可以生长高温下具有很高蒸汽压的晶体材料; (2)生长的晶体应力小; (3)容易长成大块状和均匀性晶体; (4)生长过程可视,有利于研究晶体生长动力学。;降温法 恒温蒸发法 循环流动法(温差法之一) 温差水热法(温差法之二) 凝胶法 ;1. 原理 对于较大的正溶解度温度系数的溶体,将一定温度下配制的饱和溶液于封闭体系中。在保持溶剂总量不变的情况下,通过降低温度,使溶液成为亚稳过饱和溶液,以至于析出的晶体不断结晶到籽晶上。如图5.2所示。;图5.2 水浴育晶装置;2. 控制点 掌握好溶液降温速度,使溶液始终处于亚稳过饱和区,保证一定的过饱和度。;1. 原理 一定温度和压力下,靠溶剂不断蒸发以维持溶液一定的过饱和度,以析出晶体。适宜于溶解度大但溶解温度系数很小的物质。如图5.3所示。 ;图5.3 蒸发法育晶装置;2. 控制点 掌握好溶液蒸发速度,使溶液始终处于亚稳过饱和区,保证一定的过饱和度。;1. 原理 通过温度梯度,形成过饱和溶液,进行晶体生长。;图5.4 循环流动育晶装置;2. 特点 温度和过饱和度恒定,因此晶体应力小; 温度调节容易,可以选择较低的生长温度,宜于生长大晶体。;2. 体系 高压釜,上部为晶体生长区,温度较低; 下部为饱和溶液生成区,温度较高。;图5.5 温差水热法育晶装置;2. 特点 (1)可以制备极易形成玻璃体的晶体; (2)蒸气压较高的晶体 (3)与熔体生长法相比,晶体缺陷更少。 ;(5)凝胶法;图5.6 凝胶法育晶装置;5.1.3 溶液中培养单晶生长条件 的控制和单晶的完整性;2. 晶芽 1)对于初次培育一种新的晶体:;2)大晶体上切取籽晶:;实例:;2 “杆”状籽晶 TGS(硫酸三甘氨酸-热释电-红外)晶体Z向生长慢,采用平行于Z轴的“杆”状籽晶是合适的.由于在X,Y方向上生长较快,长出的晶体趋于各向匀称,这就提高了晶体产率和利用率。;3切片籽晶 实用上,生长KDP(磷酸二氢钾)型晶体大都采用Z切片籽晶.这类晶体Z方向比X,Y方向生长快得多.Z切片籽晶在生长初期有一个恢复自然外形的成锥(俗

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