受光元件旭昶技术简报中文版.ppt

BE Kenny Mao 2005/6/20  受光组件 凡属即可将所接收之光能转换为电能,又可使光能之变化 转换为电能之变化者,均可称为受光组件 受光组件,除有能使所接收之光产生电压的太阳能电池外 还有如硫化镉(CdS)受光组件般,一旦接受光线后,即 使电阻值发生变化之光敏电阻( Photoconductive cell) 入夜后,自动亮灯的路灯、电视或空调设备等之遥控接收部 位、自动门的传感器、光通讯之接受组件等,都是受光组件 之应用领域,十分广泛。又近来,用于电视摄影机上的电荷 耦合装置(CD: Charge- Coupled device),亦属于受光组 受光组件虽然种类甚多,然而基本上,仍系利用半导体与光 两者的性质,巧妙运用光之发电,以及电阻之变化  光能可转换为电能的理由 导体具有随温度上升或遇有光线照射时,其电阻即告下降 的性质 最具代表性的半导体硅(Si),所含有不纯物质极少时,即 呈现毫无电流导通之电阻值极高的状态。由 层的电子(外壳电子),于硅之结晶内形成共价键 Covalent bond)的结合状态,是以完全毫无可自由移动之 电子(自由电子)的缘故 以能量图表示此状态所示。总之,成为导电带内即无自由电 电子带内变无电洞的状态,即与绝缘体相同,系成前 带图所示的型态。全无电流导通的高电阻状态(即无电子又 无电洞)。 全无自由电子存在 无电洞存 Eg带《禁带宽 5-1高純度之半導酸的能量圖  旦有能量比禁带宽(带隙Eg)较大之光,照射在此部位 可以其共价键之晶格上赋予能量,该处于是有电 与电洞产生,其状态即如图5-2所示。如此一来,因有 与电洞的产生,故除可形成电注之导通外,且连带可 使电阻值下降 利用光之照射以座生置子及電洞的作用,則稱之焉光電動势 ive uce)自吸收光能之價了带中,使 了移出,剩余之處即成焉洞·量了及黛洞產生時, 圆5-2導常率受光的影辔而增大  可产生电子与电洞的能量,即可视为系发光二极管的反结构 故可利用第3章中之公式表示 E入=1,240/入 E入:产生电子及电洞时所需之能量禁带宽Eg λ:与Eλ对应之光的波长 此时之Eλ,约与禁带宽(Eg)相同,惟其值因材料之不同 而稍有差异。一切的半导体均有此项性质,而广泛供作受 光组件材料使用者,则为 不仅单晶半 导休之电阻受光照射,有下降的性质,甚至多晶质或粉末等 也有相同的性质,故应用此项性质制造组件时,则与晶体管 或IC不同,可采用简单蒸镀法。今将各种不同材料之半导体 的禁带宽,分别列示于表5-1内,当有较相当波长为短之 (能量Eg为大之光)照射时,则此物质这电阻,即告降低