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IGBT:绝缘栅双极型晶体管 IGBT的结构 IGBT的工作原理 IGBT模板 * 绝缘栅双极晶体管IGBT的结构及工作原理 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降特性两者优点的一种复合器件。 IGBT于1982年开始研制，1986年投产，是发展最快而且很有前途的一种混合型器件。 目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达4500V，工作频率达50kHZ。 在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场。 ? ? ? ? IGBT是由双极晶体管和绝缘场效应晶体管组成的复合全控制电压驱动式功率半导体器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP型晶体管，IGBT的引脚分别是栅极G，发射极E和集电极C。 IGBT的结构 简化等效电路 气图形符号 IGBT的等效电路如图所示。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。 IGBT等效电路图 IGBT模板把一个或多个IGBT单元按一定的电路结构形式封装在一个壳体内，其中有单个IGBT组装成多种不同形式的单管模块、俩个IGBT组装成多种不同形式的双管模块及多个IGBT组装成的多管模块等。 IGBT模块实物图 *
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