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jorphine Jul 10 th , 2017 Special Gas( 特气 ) Outlines ? 半导体晶圆制造所使用的气体 ?CVD Tool Process Gas ? 特气传输与控制 ? ？ 半导体晶圆制造所使用的气体 —— 概要 在目前工艺技术较为先进的半导体晶圆代工厂的制造过程中，全部工艺 步骤超过 450 道，其中大约要使用 50 种不同种类的气体。 一般把气体分为大宗气体 (Bulk Gas) 和特种气体 (Special Gas) 两种。 大宗气体一般是指集中供应且用量较大的气体，涵盖制程用气如 PO2,PAr,PH2,PHe ，以及非制程用气如 CDA,IA,GN2 等。 特种气体主要有各种掺杂用气体、外延用气体、离子注入用气体、刻蚀 用气体以及其他广为各种制程设备所使用的惰性气体等。如扩散工艺中作为 工艺腔清洁所用的 ClF3 ，干层刻蚀时常用的 CF4,CHF3 与 SF6 等，以及离子 注入法作为 n 型硅片离子注入磷源、砷源的 PH3 和 AsH3 等 [1] 。 从以上的应用可以看出，气体在半导体晶圆代工厂有着非常重要的作用 。因为各种气体的特性不同，所以要设计出不同的气体输送系统来满足各种 不同制程设备的需求。本文主要讨论特种气体的分类、供应和相关的关键管 件等。 半导体晶圆制造所使用的气体 —— 种类与用途 大宗气体 (Bulk Gases) ： N2,O2,H2,He,Ar ，压缩空气 (Compressed Air) ... 特殊气体 (Specialty Gases): 1. 可燃性： B2H6 ， SiH2Cl2 ， NH3 ， TEOS ， CO... 2. 自燃性： SiH4 ， PH3 ， Si2H6... 3. 助燃性： N2O ， NF3 ， CL2... 4. 腐蚀性： Cl2 ， HBr ， BCl3 ， WF6 ， NH3 ... 5. 毒性： SiH4 ， SiH2Cl2 ， PH3 ， Si2H6 ， WF6 ， TEOS ... 6. 惰性： C2F6 ， CF4 ， CHF3 ， C4F8 ， SF6… ( 同一物质，可能同时具备多种不同之特性 ) 半导体制造业所使用的特种气体一般按其使用时的特性 ，可分为五大 类： （ 1 ） 易燃性气体（ Flammable Gas ） 把自燃、易燃、可燃气体等都定义为这类气体。如常温下的 SiH4 气体只要 与空气接触就会燃烧，当环境温度达到一定时， PH3 与 B2H6 等气体也会产生 自燃。可燃易燃气体都有一定的着火燃烧爆炸范围，即上限、下限值。此范围 越大的气体起爆炸燃烧危险性就越高，如 B 2 H 6 的爆炸上限为 98% ，爆炸下限 为 0.9% 。属于易燃气体有 H2,NH3,PH3,DCS,ClF3 等等。 半导体晶圆制造所使用的气体 —— 特种气体分类 （ 2 ） 毒性气体（ Toxic Gas ） 半导体制造行业中使用的气体很多都是对人体有害、有毒的。其中又以 AsH3, B 2H6,PH3 等气体的毒性最大，它们的阈限值 TLV （ Threshold Limited Valve ）分别只有 50 × 10-9,100 × 10-9,300 × 10-9 。这些气体在工 作环境中的允许浓度极微，因此在贮存、输送以及使用的过程中都要求特别 的小心。一般都应该采取特定的技术措施来控制使用这些气体。 N O , C4F6,C5F8,NF3,CH 3F 等都属于毒性气体。 （ 3 ） 腐蚀性气体（ Corrosive Gas ） 这些腐蚀性气体通常同时也兼有较强的毒性。腐蚀性气体在干燥状态 下一般不易侵蚀金属，但在遇到水的 环境下就显示出很强的腐蚀性，如 HCl, HF, PCl3,SiF4,ClF3 ， WF6 等。 （ 4 ） 惰性气体 (Inert Gas) ： 隋性气体本身一般不会直接对人体产生伤害，在气体传输过程中， 相对于安全上的要求不如以上其他气体严格。但惰 性气体具有窒息特性，在密闭空间若发生泄漏会使人窒息而造成工伤事 故。属于这类的气体有 C2F6,CF4,SF6,CHF3 等。 （ 5 ） 氧化性气体（ Oxide Gas ） 这类气体有较强的氧化性，一般同时具有其他特性，如毒性或腐蚀 性等。属于这类的气体有 ClF3 ,Cl2,NF3 等。 半导体晶圆制造所使用的气体 —— 特种气体分类 Outlines ? 半导体晶圆制造所使用的气体 ?CVD Tool Process Gas ? 特气传输与控制 ? ？ N2PEOX2K DARC32 0 SIN6K DARC320 SRO1500 N2PEOX2K CVD Tool Proc