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31 DC-DC 降压转换器选择 MOSFET ? 主要关注： ? 温度稳定性 ? 设计尺寸或成本勿超过安全标准 ? 从何处开始？ 只需选择具有适当 BVdss 的 FET ? 经过进行几次设计流程后，您就会有一种直觉判断哪种适用或不适用 Drain Gate Source 32 DC-DC 降压转换器 选择 MOSFET 开关转换器的目标参数 ? 阈值电压 V gs (th) ? 使源极和漏极之间形成导电沟道的最小门极偏置电压 ? 随温度升高而减小 ? 导通电阻 R ds (on) ? 在导通状态下源极和漏极之间的总阻抗 ? 确定额定电流和功耗的重要参数 ? 由于空穴以及电子活动性随温度升高而降低，导通电阻随温度升高而升高 ? 随门极对源极电压升高而降低 ? R ds (on) 具有正温度系数 (0.7%/C – 1%/C) ? 并联操作的理想选择 ? 并联 MOSFET 趋向于均分电流 ? 漏极－源极击穿电压 BVdss ? 在关断状态下，器件不发生雪崩式击穿时能够承受的最大漏极－源极电压 33 DC-DC 降压转换器：选择 MOSFET 我的 MOSFET 消耗多少功率？ （近似） ? 功率 FET 主要产生两部分损耗，其一 是导通损耗 ? 导通损耗 = (I rms ) 2 * R ds(on) ? 降压转换器 MOSFET 的电流有效值 ? I hsrms = I out *√(D*(1+1/3*(?i L /I out ) 2 )) ? I lsrms = I out *√((1 - D)*(1+1/3*(?i L /I out ) 2 )) ? 使用数据手册中相近 V gs 驱动电压的 R ds(on) 最大 值 I ls I hs Vin Vout Buck 34 DC-DC 降压转换器：选择 MOSFET 我的 MOSFET 消耗多少功率？ （近似） ? 功率 FET 主要产生两部分损耗，其二是开关损耗 ? 目标是尽可能在最高阻抗状态和最低阻抗状态之间迅速转换 ? 寄生电容 C gs 和 C gd 可减缓转换，因而引起与开关频率相关的功耗 Vdrv Rhi Rlo Cds Cgs Cgd Rg 35 DC-DC 降压转换器：选择 MOSFET 我的 MOSFET 消耗多少功率？ （近似） ? 流经电感的电流及两端电压的乘积是三角波形 此三角形的面积就 是开关转换损耗 ? Psw ≈ ( V in * I out ) * F sw * (t rise + t fall )/2 * 更详细的 等式参见 演讲者注释 Ids Vds Vgs t1 t2 Volts or Amps trise V gs,Miller 36 DC-DC 降压转换器：选择 MOSFET 我已算出 FET 的总损耗，是否太高了？ ? FET 的总损耗（近似）是开关损耗和导通损耗之和 ? P tot = P conduction + P switch ? 现在，我们已得到总损耗，因此可以确定对于热稳定性来说是否太高了 。 答案是（和大多数事情一样）取决于具体情况。 ? MOSFET 制造商会在数据手册中规定一个最高结温（ T jmax ）和结与环 境之间的热阻（ R ?jA ） ? 知道 R ?jA 、估计环境温度（ T amb ）和 P tot 后，就可以（非常）粗略地计 算出结温（ T j ），如下所示： T j = T amb + R ?jA *P tot 若 T j >T jmax ，所选的 FET 不适用 37 DC-DC 降压转换器：选择 MOSFET 封装表 ? 您会发现结到环境的热阻（ R ?jA ）很大程度上依赖于封装 热阻 R ?ja （平均） * 尺寸 成本 DPAK (TO-252) 50 ° C/W 10mm x 6.1mm 低 SO-8 70 ° C/W 6mm x 4.9mm 中 热增强型 SO-8 50 ° C/W 5.15mm x 6.15mm 高 TSOP - 6 90 ° C/W 2.85mm x 3mm 中 1206-8 片式 FET 70 ° C/W 3mm x 1.8mm 中 SOT-23 130 ° C/W 2.5mm x 2.9mm 低 * 受测器件安装在 1 平方英寸 2 盎司的铜箔上 The World Leader in High-Performance Signal Processing Solutions DC-DC 降压转换器 基础与设计流程 2 概述 ? 降压转换器基础 ? 能量传输 ? 波形 ? 伏秒平衡 ? 同步与 异步 / 电流连续模式（ CCM ）与 电流断续模式（ DCM ） ? 经典控制结构 ? 电压模式 ? 电流模式 ? 理想转换器