TFT Array工艺知识讲解.ppt

TFT-Array 工艺 2 TFT-LCD Module 电路部件 偏光板 一、 TFT 的基本构造 偏光板 TFT 基板 TFT 背光源 偏光板 液晶 单像素 （旋转） TFT 部位侧视 像素 TN GATE G- SiNx a-Si n+ a- Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO 像素电极 GLASS 接触孔 实际结构 3 一、 TFT 的基本构造 GATE G-SiNx a-Si n+ a- Si DRAIN SOURCE P-SiNx ITO 像素电极 GLASS 接触孔 G 工程 I 工程 D 工程 C 工程 PI 工程 4 PR 曝光工程 成膜工程 刻蚀工程 剥离 G 层 Sputter (AL-Nb, Mo-Nd) G-Mask PR 曝光 G 层湿刻 剥离 工艺详细流程－ G 工程 5 工艺详细流程－ D/I 工程图解 PR 曝光工程 成膜工程 剥离工程 D 层 Sputter (Cr) D-Mask PR 曝光 D 层湿刻 2 剥离 PCVD （ SiNx ） Island 干刻 D 层湿刻 1 刻蚀工程 成膜工程 PCVD （ 3 层 CVD ） 成膜工程 Channel 干刻 6 工艺详细流程－ C 工程 PR 曝光工程 成膜工程 刻蚀工程 剥离 PCVD (SiNx) C-Mask PR 曝光 Contact Hole 干刻 剥离 7 工艺详细流程－ PI 工程 PR 曝光工程 成膜工程 刻蚀工程 Sputter （ ITO ） PI-Mask PR 曝光 ITO 湿刻 剥离 剥离 8 二、 ARRAY 工艺介绍 工艺名称 工艺目的 1 洗净 清洁基板表面，防止成膜不良 2 溅射（ SPUTTER) 成 Gate 膜、 D/S 膜和 Pixel 膜 3 P-CVD 成 a-Si 膜和 SiNx 膜 4 PR/ 曝光 形成与 MASK 图案相一致的光刻胶图案 5 湿刻（ WE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜 6 干刻（ DE) 刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜 7 剥离 去掉残余的光刻胶 8 退火 修复晶体损伤，改善晶体性质 9 检查修复 监控产品不良，修复不良 9 1-1 、洗净 ＵＶ 药 液 刷子 高圧 2 流体 Ａ／Ｋ Ｐ Ｄ Ａ 排 水 Ｐ 排 水 Ｐ 纯 水 Ｄ Ａ 洗净 功能 洗净对象 作 用 Ｕ Ｖ 药 液 刷洗 高 压 喷射 2 流体 氧化分解 溶 解 机械剥离 机械剥离 机械剥离 有机物 ( 浸润 性 改善 ) 有机物 微粒子 ( 大径 ) 微粒子 ( 中径 ) 微粒子 ( 小径 ) ＵＶ / Ｏ ３ 溶 解 接触压 水压 加速度 cavitation 10 1-2 、洗净方法及原理概述 洗浄対象 目的 Ｔｏｏｌ 1 、Ｄｒｙ洗浄 有機物汚染 密着力向上 UV ／Ｏ３ Ｅｘｃｉｍｅｒ ＵＶ 濡れ性向上 2 、Ｗｅｔ洗浄 無機物Ｐａｒｔｉｃｌｅ 微小Ｇｌａｓｓ傷 有機物Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ除去 微小Ｇｌａｓｓ傷除去 超音波 高圧Ｓｐｒａｙ 純水／Ａｉｒ ２流体Ｊｅｔ Ｂｒｕｓｈ Ａｌｋａｌｉ洗剤 11 ? 溅射 ( Sputter ) 是指利用电场加速的气体离子对靶材的轰击， 使成膜材料从靶材转移到基板的物理成膜方法。 ? Sputter 在工艺流程中的位置 2-1 、 Sputter 洗 净 Sputter 成 膜 Inline PR Wet Etching 剥 离 Sputter 工艺在生产工艺流程中的位置 12 2-2 、 Sputter ? TFT 中 Sputter 薄膜的种类和作用 类型 名称 作用 G 配线 Al 传递扫描信号 D 配线 Cr 传递数据信号 像素电极 ITO 存储数据信号 D - Cr PI - ITO G1 - Al G2 - Mo 13 ? 整体图 （ SMD-1200 ） ? 基板搬入（加热） / 搬出（冷却）室 （ L1 、 L2 ） ? 搬送室 (Tr) ? 成膜室（ X1 、 X3 ） 2-3 、 Sputter 设备 UpperSlot-Load (Heating) UnderSlot-Unload (Cooling) Sputter X1Type (1Target) S3 X1 Ｔｙｐｅ 1sheet S4 X3Type 1sheet Max3shee t cassette 1 20sheet cassette 2 20sheet cassette 3 20sheet cassette 4 20sheet VacRob 2sheet AtmRob 2sheet Sputter X3Type (1~3Target) Cassette Loader Glass Size 1100 × 1300(mm)