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变温霍尔效应
屮国科技大学轩植华
口1879年,霍尔HHa)在研究通有电流的
导体在磁场中受力的情况时,发现在垂直于
磁场和电流的方向上产生了电动势,这个电
磁效应称为“霍尔效应”
口1985年德国克利青发现量子霍耳效应获得诺
贝尔奖
口1998年普林斯顿大学的崔琦、斯坦福大學的
Laughlin,哥倫比亞大學的 Stormer因研究
量子霍尔液体获得诺贝尔奖
口半导体是指具有中等程度导电性的材料,
口金属是指良导体,电导率的量级
10(s2·m)
口绝缘体是指具有极低电导率的材料
100~1020(2.m)
口在相同电流强度和磁感应强度的条件下,半
导体材料的霍耳效应比金属大多个数量级左
右。这是因为半导体的载流子浓度比金属的
自由电子浓度要小许多数量级。因此,在半
导体和金属中要得到相同电流强度,半导体
载流子的速度就要大许多。而速度大,所受
的洛伦兹力就大,与之相平衡的静电力就大
所以霍耳效应就大。
口半导体的电导率介于导体和绝缘体之问
。以
室温下的铜和硅为例,后者小13个量级。
」且金属电阻随温度增加而増加,半导体则随
温度增加减小,即温度越髙,导电性越好。
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