第1章 微细加工与MEMS技术引论.ppt

Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 31 Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 32 ITRS 国际半导体技术蓝图 Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 33 功能多样化的“ More Than Moore” 指的是用各种方法给最终用户提供附 加价值，不一定要缩小特征尺寸，如从系统组件级向 3D 集成或精确的封装级 (SiP) 或芯片级 (SoC) 转移。 More Than Moore Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 34 功率器件 功率系统集成芯片 (Power SoC or SiP ) Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 35 四、集成电路发展面临的问题 1 、基本限制 如热力学限制。由于热扰动的影响，数字逻辑系统的开关 能量至少应满足 E S > 4 kT = 1.65 × 10 -20 J 。当沟道长度为 0.1 ? m 时，开关能量约为 5 × 10 -18 J 。在亚微米范围，从热力学的角度 暂时不会遇到麻烦。又如加工尺度限制，显然原子尺寸是最小 可加工单位，现在的最小加工单位通常大于这个数值。 2 、器件与工艺限制 3 、材料限制 硅材料较低的迁移率将是影响 IC 发展的一个重要障碍。 4 、其他限制 包括电路限制、测试限制、互连限制、管脚数量限制、散 热限制、内部寄生耦合限制等。 Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 36 1.3 集成电路制造的基本工艺流程 器件设计 芯片制造 封装测试 电路设计 材料制备 Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 37 1. Crystal Growth 单晶生长 2. Single Crystal Ingot 单晶硅锭 3. Crystal Trimming and Diameter Grind 单晶去头和 径向研磨 4. Flat Grinding 定位边研磨 5. Wafer Slicing 硅片切割 6. Edge Rounding 倒角 7. Lapping 粘片 8. Wafer Etching 硅片刻蚀 9. Polishing 抛光 10. Wafer Inspection 硅片检查 Slurry Polishing table Polishing head Polysilicon Seed crystal Heater Crucible 硅片制备 Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 38 88 die 200-mm wafer 232 die 300-mm wafer Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 39 Silicon substrate drain Silicon substrate Top protective layer Metal layer Insulation layers Recessed conductive layer Conductive layer Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 40 横向加工： 图形的产生与转移（又称为光刻，包括曝光、 显影、刻蚀等） 纵向加工： 掺杂（扩散、离子注入）、 薄膜制备（热氧化、蒸发、溅射、 CVD 等） 芯片制造 Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 41 Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 42 涂光刻胶（正） 选择曝光 热氧化 SiO 2 一、 PN 二极管的制造工艺流程 N Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 1 微细加工与 MEMS 技术 电子科技大学 微电子与固体电子学院 Microelectronic Fabrication & MEMS Technology 2 教材： 《微电子制造科学原理与工程技术》， Stephen A. Campbell ， 电子工业出版社 主要参考书： ? 《微细加工技术》，蒋欣荣，电子工业出版社 VLSI Technology, S. M. Sze ? 《半导体制造技术》， Michael Quirk, Julian