- 1、本文档共13页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
26激光光源
激光是一种新型的光源,与钨丝灯、氙灯等其他
光源相比,具有方向性强、单色性好、相干性好和光
亮度高等独特的优点,因而在国防、科研、工农业生
产和医疗仪器等方面得到广泛的应用。
261激光的产生机理
光的吸收与发射和原子、分子等粒子的能量状态
改变相关连,当粒子从高能级跃迁到低能级时发出辐
射光子。
激光的产生机理一般涉及到受激辐射,粒子数反
转与谐振三个关键问题。
1.自发辐射与受激辐射
如图2-20所示的系统中设E1为基态能级,E2为激发态能级
在常温下大部分电子处于2
基态。当原子在E与E2两个能
El
级之间产生跃迁时将产生自发
(a)
辐射、受激辐射和受激吸收的E2
三个基本过程
要产生激光,必须使总发
射大于总吸收。因此,产生激
E→
光的必要条件之一是受激辐射1
占主导地位。
图2-20原子的自发辐射、受激辐射
与受激吸收示意图
(a)自发辐射;(b)受激辐射:(c)受激吸收
2粒子数反转(分布反转)
从外部给工作物质提供能量使载流子的正常分布倒转过来,
称为粒子数的反转或称粒子分布的反转状态。粒子数的反转是
使受激辐射从次要地位转化为主导地位的必要条件。
3.谐振腔
在激光物质的两侧放置相互平行的反光镜形成光的“共
振”现象,通常将能使光产生“共振”的装置称为“共振腔
或“谐振腔”。
获得激光输出的3个必要条件为:
①必须将处于低能态的电子激发或泵浦到较高能态上去,为
此需要泵浦源;
②要有大量的粒子数反转,使受激辐射足以克服损耗;
③有一个谐振腔为出射光子提供正反馈及高的增益,用以维
持受激辐射的持续振荡。
263半导体激光器(LD)
半导体激光器是体积最小的激光器件。它具有效率高,工作
电压低,功率损耗小,驱动与调整都很方便等特点,非常适合于
野外短距离的激光通信,激光测距,激光遥控、遥测、引爆等等
半导体激光器有电子束激励的和注入式的两种。后者应用
最为普遍,因此,着重介绍注入式的半导体激光器
1.砷化镓半导体激光器的结构与工作原理
如图223所示为pn结型
GaAs半导体激光器的结构原理
激
电
图,由 p-GaAs、n-GaAs和散热
片等部分组成
散热片
图223GaAs激光器的结构图
2.异质结pn结半导体激光器
如图224(a)所示,构成单异质pn结型的半导体激光器。
-GBAs n-AL gAl -xas
ALxGB-xA
n-GaAs P-GaAs p*+-AL,G
p-GaAs
APoo TooIoooo
o。.。。o
图2-24异质结GaAs贮能级图
(a)单异质结;(b)双异质结
如图2-24(b)所示结构为砷化镓双异质结型半导体激光器
文档评论(0)