半导体异质结结构..ppt

. 上图看到在(c)处附近发生明显的负微分电阻区，表明该处出现负阻效用。 随着外延材料质量及器件设计技术的改进，有报道用共振隧穿二极管在4.2K低温下测得尖锐的电流—电压曲线如图所示。图中右上方小图表示所用样品结构及其能带图。由图中可看到有尖锐的共振隧穿电流峰和很强的微分负阻效应。 组成半导体异质节的两种材料的晶格失配时，在界面处会产生错缺陷，对异质结器件有不利的影响。界面缺陷错位对载流子的散射等作用将使迁移率下降，导致器件性能下降。因此在器件应用中，要求选取晶格匹配的半导体异质结构。在实际中半导体中两种材料晶格常数相等的情形几乎没有如图，晶格失配小于0.1%的材料也是极少。 §9.4 半导体应变异质结构 在 时，有 (9-57) (9-56) (9-55) 以上各式nn异质结在热平衡状态下求得的。 安迪生证明，对于nn异质结，在杂质 时，用类似于金属—半导体接触间的电容方法，得到每单位面积结电容公式为 作1/C2对V的直线，从直线斜率，可以求出半导体2的施主杂质浓度ND2。如将施主杂质浓度改为受主杂质浓度，结得到适用于pp异质结的公式。 (9-58) 9.2.1突变异质结pn结的电流—电压特性 如图半导体异质pn结界面导带连接处存在一势垒尖峰，根据尖峰高低的不同有两种情况。图a 表示势垒尖峰低于p区导带底的情况 ，称为低势垒尖峰情况，图b表示势 垒尖峰高于p区导带底的情况，称为 高势垒尖峰情况 §9.2 半导体异质pn结的电流电压特性及注 入特性 根据上述，低尖峰势垒情形是异质结的电子流主要有扩散机制决定，可用扩散模型处理，如图9.11中图a和图b分别表示其零偏压时和正偏压时的能带图。p型半导体中少数载流子浓度n10与n型半导体中多数载流子浓度的关系为： 取交界面x=0，当异质结加正 向偏压V时 (9-59) (9-60) 在稳定情况下，p型半导体中注入少数载流子运动的连续性方程为 其通解为 从而求得电子扩散电流密度 (9-62) (9-61) 上式为由n型区注入p型区的电子扩散电流密度，以下计算由p型区注入n型区的空穴电流密度。从p区价带顶的空穴势垒高度为 在热平衡时n型半导体中少数载流子空穴的浓度与p型半导体中的空穴浓度关系 正向电压V时在n区x=x2处的空穴浓度增加为 (9-63) 从而求得空穴扩散电流密度、 由（9-62）（9-65）可得外加电压，通过异质pn结的总电流为 (9-66) (9-65) (9-64) 上式证明正向电压时电流随电压按指数关系增加。 分别用n区和p区的多数载流子浓度n20和p10表为 故 ，表明通过结的电流主要由电子电流组成，空穴电流占比很小。 单位时间从n区撞击到势垒处单位面积上的电子数为 (9-69) (9-68) (9-67) 故由n区注入p区的电子电流密度 同理得到从p区注入n区电子流密度为 得到 (9-70) (9-71) 总电流密度 由于异质结情况的复杂性，上式也只得到了小部分异质结实验结果的证实。正向电压时，主要由从n区注入p区的电子流形成，则 说明发射模型也同样得到正向时电流随电压按指数关系增加。（9-72）不能用于加反向电压的情况。 (9-72) 9.2.2 异质pn结的注入特性 1.异质pn结的高注入比特性及其应用 由式(9-67)和式(9-68)可得异质pn结电子电流与空穴电流的注入比为 在p区和n区杂质完全电离的情况上式可表为： (9-74) (9-73) 以宽禁带n型 和窄禁带p型GaAs组成的pn结为例，其禁带宽度之差 ，设p区掺杂浓度为 ，n区掺杂浓度为 由上式可得 这表明即使禁带宽n区掺杂浓度较p区低近两个数量级，但注入比仍可高达 ，异质pn结的这一高注入特性是区别于同质pn结的主要特点之一，也因此得到重要应用。 在npn双极晶体管，发射结效率定义为 (9-76) (9-75) 式中Jn和Jp分别表示由发射区注入基区的电子电流浓度和由基区注入发射区的