超低噪声LDOXFET基准电压源带灌电流和拉电流.pdf 19页

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  • 2020-08-14 发布

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    超低噪声LDO XFET基准电压源 (带灌电流和拉电流) 数据手册 ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445 产品特性 引脚配置 超低噪声(0.1 Hz至10 Hz) ADR440 :1 µV p-p ADR441 :1.2 µV p-p ADR443 :1.4 µV p-p ADR444 :1.8 µV p-p ADR445 :2.25 µV p-p 出色的温度系数 A级:10 ppm/°C B级:3 ppm/°C 图1. 8引脚SOIC_N (R后缀) 低压差工作 (电源电压裕量):500 mV 输入范围:(VOUT + 500 mV) 至18 V 高输出拉电流和灌电流 分别为+10 mA和−5 mA 宽工作温度范围:−40°C至+125°C 应用 精密数据采集系统 高分辨率数据转换器 图2. 8引脚MSOP (RM后缀) 电池供电仪器仪表 便携式医疗仪器 工业过程控制系统 精密仪器 光学控制电路 概述 ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445 系列采用8 引脚 1 MSOP和窄体SOIC封装,提供两种电气等级。所有型号产品 ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445 系列XFET®基准电 的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。 压源具有超低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司 的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管 (XFET) 技 表1. 选型指南 术,可以使ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445 电压随 型号 输出电压(V) 初始精度(mV) 温度系数(ppm/°C) 温度变化的非线性度降至最小。 ADR440A 2.048 ±3 10 ADR440B 2.048 ±1 3 XFET基准电压源的噪声性能优于嵌入式齐纳基准电压源,且 ADR441A 2.500 ±3 10 所需的电源电压裕量较小 (500 mV) 。这种特性组合使 ADR441B 2.500 ±1 3 ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445 系列非常适合高 ADR443A 3.000 ±4 10 ADR443B 3.000 ±1.2 3 端数据采集系统、光学网络和医疗应用中的精密信号转换。

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    • 内容提供方:ps4123
    • 审核时间:2020-08-14
    • 审核编号:8135063101002132

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