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重要模电总结复习资料 第一章 半导体二极管 一. 半导体的基础知识 1. 半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 ( 如硅 Si 、锗 Ge)。 2. 特性 光敏、热敏和掺杂特性。 3. 本征半导体 纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5. 杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 。 *N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。 6. 杂质半导体的特性 　* 载流子的浓度 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 　* 体电阻 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 　* 转型 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差 硅材料约为 0.6~0.8V ，锗材料约为 0.2~0.3V 。 * PN 结的单向导电性 正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性 二. 半导体二极管 * 单向导电性 正向导通，反向截止。 * 二极管伏安特性 同ＰＮ结。 * 正向导通压降 硅管 0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V 。 * 死区电压 硅管 0.5V ，锗管 0.1V 。 3. 分析方法 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 >V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路 ); 若 V 阳 <V 阴 ( 反偏 ) ，二极管截止 ( 开路 ) 。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q。 2) 等效电路法 直流等效电路法 * 总的解题手段 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 >V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路 ); 若 V 阳 <V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 ( 开路 ) 。 * 三种模型 微变等效电路法 三 . 稳压二极管及其稳压电路 * 稳压二极管的特性 正常工作时处在 PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向 连接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一. 三极管的结构、类型及特点 1. 类型 分为 NPN和 PNP两种。 2. 特点 基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 ( 表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3. 共射电路的特性曲线 * 输入特性曲线 同二极管。 * 输出特性曲线 ( 饱和管压降，用 U 表示 CES 放大区 发射结正偏，集电结反偏。 截止区 发射结反偏，集电结反偏。 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 I CBO、 I CEO 、 I C 以及 β均增加。 三 . 低频小信号等效模型（简化） hie 输出端交流短路时的输入电阻， 常用 r be 表示； hfe 输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用β表示； 四. 基本放大电路组成及其原则 V R R