-光电探测器原理.docVIP

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上海大学 2014 ~ 2015学年春季学期本科生课程考试 小论文 课程名称: 电子科学与技术新探索(专题研讨课) 课程编号: 论文题目: 光电探测器原理 本科生生姓名: 陆申阳 学 号: 论文评语: 成 绩: 任课教师: 徐闰 评阅日期: PAGE PAGE 1 光电探测器原理原理 姓名:陆申阳 学号摘要:光电探测器的原理主要是利用光电效应和光热效应。对于不同类型的光电探测器,他们的工作原理也不尽相同。本文以雪崩光电二极管、光电二极管、光热探测器为例具体介绍了它们们的工作原理。 Abstract:The primary principle of photodetector are photoelectric effect and photothermal effect.But,there are some distinctions of different photodetectors.The principles of photodiode,avalanche photodiode and optothermal detector are as follows. 关键词:雪崩光电二极管,光电二极管,热敏电阻,光电效应 Key words:avalanche photodiode,photodiode,photoelectric effect 简介:近年来,光电子系统已经运用到各个行业、各个领域。对于光电子系统,其最最重要的一部分光电探测器一直作为光电子系统的眼睛而存在。对于光电探测器,按照其辐射作用方式的不同,整体上可以分为光子探测器和光热探测器。按照具体的工作机理,光子探测器又可以分为光电导探测器、光敏电阻、雪崩光电二极管、光电二极管、光电发射探测器、光电管等;光热探测器可以分为热敏电阻、热电偶等。以下分别以光电二极管、雪崩光电二极管、热敏电阻为例具体介绍其工作原理。 光电二极管(PD) (一)、原理 光电效应可以分为内光电效应和外光电效应,内光电效应又可以分为光电导效应和光生伏特效应。 光电二极管的基本原理就是利用了光生伏特效应。光辐射照射半导体结上时,光子降价电子激发到导带,形成光生电子——空穴对,光生电子——空穴对在自建电场的作用下被分别扫向两端,形成光生电动势。即光生伏特效应。 光电二极管的基本结构是一PN结,在P区和N去形成结时,N区的电子向P区扩散,在N区留下正离子电荷。同样地,P去的空穴向N区扩散,在P区留下负离子电荷。于是N带有正电荷,P区带有负电荷,形成由N指向P的内建电场。 当有光照时,如果光子的能量大于或等于半导体的禁带宽度,那么光子就能将价带上的电子激发到导带上去,从而在导带上出现一个电子,在价带上出现一个空穴,即光生电子——空穴对。电子在内建电场的作用下漂移到N区,形成由N到P的电流;空穴在内建电场的作用下漂移到P区,形成由N到P的电流。由于,在N区形成空穴积累,在P区形成空穴积累,从而形成光生电动势。 图一 光电二极管工作原理 (二)、应用改进措施 光生电子和空穴在自建电场内漂移运动很快,但是,如果光生电子空穴对在耗尽层外部产生,由于耗尽层外部不存在自建电场,电子和空穴只能靠速度很慢的扩散来运动,这就会影响探测器的响应速度。因此在实际的应用中,要将光电二极管反向偏置,PN结两侧势垒加大,以使耗尽层宽度进一步加宽,从而使更多的光生载流子在耗尽层内产生。同时也减小了二极管的结电容,提高了灵敏度和响应速度。 光电二极管的响应时间取决于光生载流子扩散到耗尽层的时间和结电容,限制了光电二极管在高速通讯系统中的应用。为提高响应速度,通常在P区和N区之间形成一个本征区,构成PIN PD。 I区的存在,使耗尽层加宽,增大了光电转换的有效工作区域,提高了器件灵敏度。I层的存在,使击穿电压不再受基体材料的限制,用低电阻基体材料就可取得高的反向击穿电压,而器件的串联电阻可大大减小。 也使结电容减小,一般在10pF量级。提高了器件的响应速度。 当运用到光电二极管中时,需要加反偏电压。没有光照时,光电二极管中仅有很小的反向饱和电流。有光照时,根据以上分析可知,会形成一个由N到P的光生电流。因此我们可以根据光生电流的特性来判

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