TMS320F28335谈程序在RAM FLASH 和外部RAM中运行的速度.docVIP

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2020-08-12 发布于浙江
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TMS320F28335谈程序在RAM FLASH 和外部RAM中运行的速度.doc

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谈程序在RAM，FLASH 和外部RAM中运行的速度以TMS320F28335芯片为例在内部RAM中程序能够，达到150MHZ，也即150MIPS.用下面这段程序测试：? ?for(;;)? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???|? ?{? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?|? ???GpioDataRegs.GPACLEAR.bit.GPIO0=1;? ?? ?? ?? ?? ?? ? |? ?? ???DSP28x_usDelay(29992);//29992*5+9个时钟周期? ?|总共300001个时钟周期? ???GpioDataRegs.GPASET.bit.GPIO0=1;? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?|? ?? ???DSP28x_usDelay(30000);//30000*5+9个时钟周期? ?|? ?}? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ??在RAM中运行上面的程序能够正常，GPIO 的周期为500HZ 在外部RAM中运行在外部RAM中最大能达到多少的速度呢？试一下，在28335中，XCLK=SYSCLK的时候。设置? ? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDLEAD = 1;? ? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDACTIVE =2;? ? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDTRAIL = 1;? ?? ?? ?? ? 也就是说XINTF读取一个外部RAM中的数据要1+3+1个时钟周期，为5跑上面谈到的程序，GPIO的周期为100HZ，比在RAM中慢了5倍，因为RAM中读取一个数据只要1个时钟周期，外部RAM中读取要5个改变一下：? ? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDLEAD = 1;? ? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDACTIVE = 1;? ? XintfRegs.XTIMING7.bit.XRDTRAIL = 0;? ?? ?? ?? ?也就是说XINTF读取一个外部RAM中的数据要1+2+0个时钟周期，为3跑上面谈到的程序，GPIO的周期为166.7HZ,899984时钟周期，因为RAM中读取一个数据只要1个时钟周期，外部RAM中读取要3个理论上在外部RAM中运行最快可以为75MHZ，但一般我们只能达到50MHZ，因为一般我们不能设置.XRDACTIVE 为0 在FLASH中运行在FLASH中运行上面的程序，打开flash pipeline。会发现运行的比外部RAM还慢，只有138.888HZ的GPIO周期。FLASH中运行程序，需要说到FLASH pipeline。FLASH pipeline可以一次读取FLASH中的64bits，也就是正常的4条指令。那么理论上有FLASH pipeline的时候，FLASH的运行最优的速度为37 ns的FLASH介入时间乘以4，也就是108 MHz 。但是，如果如我上面的测试代码那样充满了跳转指令（也即FLASH pipeline一次取4个指令指令后发现是跳转指令无法连续运行后面的指令）那么最坏的结果，是FLASH运行在108/4=27MHZ下。所以，只能这样说，程序在FLASH中的运行速度为27~108MHZ，一般情况下，程序优化的还不错跳转指令比较少，在FLASH中28335的运行速度为80~90MHZ。