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国家标准 《集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺过程和评价要求 》(征求意见稿 )编制说明
1 工作简况
1.1 任务来源
本项目是 2018 年国家标准委下达的军民通用化工程标准项目中的一项, 本国家标准的制
定任务已列入 2018 年国家标准制修订项目,项目名称为《集成电路三维封装 带凸点圆片划
片工艺过程和评价要求》,项目编号为: T-339 。本标准由中国电子科技集团公司
第五十八研究所负责组织制定, 标准归口单位为全国半导体器件标准化技术委员会集成电路
分技术委员会( TC78/SC2 )。
1.2 起草单位简介
中国电子科技集团公司第五十八研究所为我国超大规模集成电路制造的骨干研制单位,
长期从事军用超大规模集成电路(特别是军用 ASIC 、CPU 、DSP 等)的科研开发与批量生
产,拥有产品设计、掩模制造、芯片制造、封装、测试及可靠性检验等较为完整的军用集成
电路产业链。
1.3 主要工作过程
接到编制任务,项目牵头单位中国电子科技集团公司第五十八研究所成立了标准编制
组,中科院微电子研究所、 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、 中国电子科技集团
公司第十三研究所等相关单位参与标准编制工作。 编制组落实了各单位职责 ,并制定编制计
划。
编制组查找了国际、 国内三维集成电路封装相关标准, 认真研究了现行集成电路标准体
系和相关标准技术内容,在此基础上形成了标准草案。
2 标准编制原则和确定主要内容的论据及解决的主要问题
2.1 本标准制定原则
本标准遵循 “科学性、实用性、统一性、规范性 ”的原则进行编制,依据 GB/T 1.1-2009
规则起草,确立了本标准的范围、规范性引用文件、术语和定义。
2.2 标准的主要内容与依据
2.2.1 本标准的定位
本标准是三维( 3D)集成电路( IC)封装系列标准中的一项,规定了带凸点圆片划片工
艺过程中的一般要求和所使用的原材料、 设备、工艺流程、关键工艺要求及评价要求, 适用
于 12 英寸及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片的划片工艺。
2.2.2关 于引用文件
1
GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第 1 部分:空气洁净度等级
GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序
GJB 3007 防静电工作区技术要求
GB/T XXXX-20XX集成电路 三维封装 术语和定义(报批稿)。
2.2.3术 语和定义
在 GB/T XXXX-20XX集成电路 三维封装 术语和定义(报批稿)基础上,增加了本标准
需要使用的术语定义:带凸点圆片、烘片等。
2.2.4 带凸点圆片划片工艺
目前在国内,集成电路三维封装相关的圆片划片工艺标准中未包含带凸点圆片的划片要
求,随着电路引出端数量增加, 常规引线键合芯片已无法满足要求, 带凸点芯片是解决该问
题的关键, 因此带凸点圆片划片工艺的相关标准的缺失, 一定程度上影响了集成电路三维封
装的发展。 本标准的编制将形成统一的集成电路三维封装带凸点圆片工艺规定, 合理有效的
指导工艺, 提高行业整体工艺成品率。在制定过程中,联合封装行业的相关单位, 开展研讨
和试验验证,进行互相学习及技术交流,带动行业的发展,带来更广泛的社会效益。
带凸点圆片划片工艺步骤如下图 1:
贴保护膜 烘片
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