半导体物理第九章.pdf

  1. 1、本文档共21页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第九章异质结 前言: 有两种不同的半导体单晶材料组成的结称为异 质结。异质结与同质结的最大区别在于:由于 成结的两种半导体材料具有不同的禁带宽度, 而出现特殊的结区能带结构和特性。 学习内容: 异质结能带结构;异质结的主要应用 1 2007-12-5 异质结能带图 2007-12-5 2 异质结分类 1. 反型异质结 (p)Ge-(n)GaAs ,(p)Ge-(n)Si ,(p)Si- (n)GaAs ,(p)Si-(n)ZnS等等; 2. 同型异质结 (n)Ge-(n)GaAs ,(p)Ge-(p)GaAs ,(n)Ge- (n)Si ,(n)Si-(n)GaAs等等; 注:通常将禁带宽度小的材料写前面; 1. 突变异质结(过渡发生于几个原子距离) 2. 缓变异质结(过渡发生于几个扩散长度) 3 2007-12-5 突变反型异质结 Vacuum level qVD χGaAs WGe χGe E cp ΔE E c WGaAs cn EFn qVD1 E vn E ΔEv qVD2 Fp E vp E 4 2007-12-5 接触后界面处能带图的特征 界面两侧: E E E F F 1 F 2 界面处: ΔE , ΔE 接触前后不变,故出现能带突变 c v ΔE χ =−χ c 1 2 ( ) (χ χ ) ΔE E =−E − −

文档评论(0)

cjp823 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:7060131150000004

1亿VIP精品文档

相关文档