电子元器件型号命名规则0001.docx

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青静甘*■甘書优*甘* 耒口 '星.优节杵吉杵吉肯*■含壺吉 青静甘*■甘書优*甘* 耒口 '星.优节杵吉杵吉肯*■含壺吉 电子元器件型号命名规则 1,常用电阻器、电位器 第一部分 第二部分 第三部分 第四 部分 第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主 称 用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号 意义 符号 意义 符号 意义 额定 功率 阻值 允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器 H 合成 膜 1,2 普通 W 电位 器 S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻 T 碳膜 5 高温 Y 氧化 膜 7 精密 J 金属 膜 (箔 ) 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕 9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2,电容器 第一 部分 (材 料) 第二 部分 分类 (第 三部 分) (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第四 部分 (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第五 部分 (用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第六 部分 符号 意义 符号 意义 「符号 意义 容值 精密 封装 瓷介 云母 有机 电解 等级 C 电容 尹 器 C 咼频 瓷 1 圆片 非密 封 非密 封 箔式 T 低频 瓷 2 圆形 非密 封 非密 封 箔式 I 玻璃 釉 3 叠形 密封 密封 烧结 粉液 体 O 玻璃 膜 4 独石 密封 密封 烧结 粉固 体 Y 云母 5 穿心 穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性 Z 纸介 7 J 金属 化纸 8 高压 高压 高压 D 铝电 解 9 特殊 特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质 /童■杵青* 泸畫音靑 世 /童■杵青* 泸畫音靑 世 知识就是力疑 3,电感器 第一部 分 第二部 分 第三部 分 第四部 分 第五部 分 第八部 分 主称 特征 型式 序号 符号 意义 「符号1 意义 符号 意义 符号 意义 符号 :意义 L 线圈 G 咼频 X 小型 A ZL 咼频阻 流圈 B 4,变压器 第一部 分 第二部 分 第三部 分 第四部 分 第五部 分 第八部 分 主称 「特征] 型式 序号 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 DB 电源变 压器 G 高频 X 小型 A CB 音频输 出变压 器 B RB 音频输 入变压 器 GB 高压变 压器 HB 灯丝变 压器 SB /ZB 音频 (阻 尼)输 送变压 器 SB/EB 音频 (定压 或者自 耦式) 输送变 压器 5,半导体二、三极管 一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN型管、激光器件 的型号命名只有第三、四、五部分 )组成。五个部分的意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。 2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材 料。 表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。 P-普通管、V微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道 N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、 BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG4激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2三极或具有两个pn结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个 pn结的其他器件、 ——依此类推。 第二部分:日本电子工业协会 JEIA注册标志。

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