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青静甘*■甘書优*甘* 耒口 '星.优节杵吉杵吉肯*■含壺吉
青静甘*■甘書优*甘* 耒口 '星.优节杵吉杵吉肯*■含壺吉
电子元器件型号命名规则
1,常用电阻器、电位器
第一部分
第二部分
第三部分
第四 部分
第五 部分
第六 部分
第七 部分
第八 部分
用字母表示主 称
用字母表示材 料
用数字或者字 母表示分类
用数 字或 者字 母直 接表 示
用数 字或 者字 母直 接表 示
用数 字或 者字 母直 接表 示
用数 字或 者字 母直 接表 示
用数 字或 者字 母直 接表 示
符号
意义
符号
意义
符号
意义
额定 功率
阻值
允许
误差
精密 等级
封装
R
电阻
器
H
合成 膜
1,2
普通
W
电位
器
S
有机 实芯
3
超音 频
N
无机 实芯
4
高阻
T
碳膜
5
高温
Y
氧化
膜
7
精密
J
金属 膜
(箔
)
8
电阻 器-高 压
I
玻璃 釉膜
电位 器-特 殊
X
线绕
9
特殊
G
高功 率
T
可调
W
微调
M
敏感
2,电容器
第一 部分
(材 料) 第二 部分
分类
(第 三部 分)
(用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第四 部分
(用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第五 部分
(用 数字 或者 字母 直接 表 示) 第六 部分
符号
意义
符号
意义
「符号
意义
容值
精密
封装
瓷介
云母
有机
电解
等级
C
电容
尹
器
C
咼频 瓷
1
圆片
非密 封
非密 封
箔式
T
低频 瓷
2
圆形
非密 封
非密
封
箔式
I
玻璃 釉
3
叠形
密封
密封
烧结 粉液 体
O
玻璃
膜
4
独石
密封
密封
烧结 粉固 体
Y
云母
5
穿心
穿心
V
云母 纸
6
支柱
等
无极 性
Z
纸介
7
J
金属 化纸
8
高压
高压
高压
D
铝电
解
9
特殊
特殊
A
钽电 解
G
高功率
N
铌电 解
W
微调
Q
漆膜
G
合金
电解
E
其它 电解 材料
B
聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜
L
聚酯 等极 性有 机薄 膜
H
复合 介质
/童■杵青* 泸畫音靑 世
/童■杵青* 泸畫音靑 世 知识就是力疑
3,电感器
第一部 分
第二部 分
第三部 分
第四部 分
第五部 分
第八部 分
主称
特征
型式
序号
符号
意义
「符号1
意义
符号
意义
符号
意义
符号
:意义
L
线圈
G
咼频
X
小型
A
ZL
咼频阻
流圈
B
4,变压器
第一部 分
第二部 分
第三部 分
第四部 分
第五部 分
第八部 分
主称
「特征]
型式
序号
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
DB
电源变
压器
G
高频
X
小型
A
CB
音频输 出变压 器
B
RB
音频输 入变压 器
GB
高压变 压器
HB
灯丝变 压器
SB /ZB
音频
(阻 尼)输 送变压 器
SB/EB
音频
(定压 或者自 耦式) 输送变 压器
5,半导体二、三极管
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN型管、激光器件
的型号命名只有第三、四、五部分 )组成。五个部分的意义分别如下:
第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。 2-二极管、3-三极管
第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材 料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、
C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道
N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、
G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、
Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、
BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG4激光器件。
第四部分:用数字表示序号
第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:
第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、
1-二极管、
2三极或具有两个pn结的其他器件、
3-具有四个有效电极或具有三个 pn结的其他器件、
——依此类推。
第二部分:日本电子工业协会 JEIA注册标志。
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