新型铜互连方法――电化学机械抛光技术研究进展_图文.doc

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doi:10.3969/j.issn.1003—353x.2009.06.001 趋势O乡UtlOO勰k FUtI肥咿 咖,,- 新型铜互连方法 ——电化学机械抛光技术研究进展 许旺,张楷亮,杨保和 (天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室,天津300384 摘要:多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光(CMP技术带来了 巨大的挑战,低k介质的脆弱性难以承受传统CMP技术所施加的机械力。一种结合了电化学和 机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺——电化学机械抛光(ECMP应运而生,ECMP在很低的压 力下实现了对铜的平坦化,解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题,被誉为未来半导体平坦化 技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望,对铜的 ECMP技术进行了回顾和讨论。 关键词:化学机械抛光;铜互连;低介电常数;电化学机械抛光;平坦化技术;多孔 中图分类号:TN305.2,TN47文献标识码:A 文章编号:1003.353X(200906-0521.04 Advance in ECMP——NoVel Copper Interconnection Xu Wang,Zhang Kailiang,Yang Baohe (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communication Device,School of Electronics Information and Communication Engineering,Tianjin University of Technology,Tianjin 300384。China Abstract:The introduction of porous.10W-k dielectric materials into Si-based semiconductor devices provides substantial challenges for CMP.These challenges arise primarily from the mechanical fragility of such dielectrics, which may not withstand the force applied during CMP. A novel planarization process, electro-chemical mechanical planarization(ECMP,comes into being which integrating electrochemical mechanical polishing that allows achieving global planarization for Cu interconnection at a much reduced pressure and solves the problem.ECMP becomes one of the trends in the field of semiconductor planarization technology. The development,principle,research development and prospect of ECMP are summarized and the ECMP for Cu iS herein reviewed and discussed. Key words:CMP;Cu interconnection;low—k;ECMP;planarization technology;porous EEACC:2550E:2230 0引言 随着集成电路向着更高的电流密度、更高的时 钟频率和更多的互连层发展,器件尺寸的缩小、光 学光刻设备焦深的减小,满足光刻分辨率可接受的 晶圆表面平整度要求达到纳米级。对于特征尺寸在 基金项目:国家自然基金天津市自然科学基 金项目(08JCYBJCl4600,06TXTJJCl4701;天津市高等学 校科技发展基金计划重点资助项目(ZD200709 May 2009 0.25ttm及以下的器件,必须进行全局平坦化。自 从1991年美国IBM公司首先将CMP工艺用于64Mb DRAM的生产中之后,该技术从加工性能和速度上 同时满足了晶圆图形加工的要求,并逐步进入工业 化生产…。但是,由于芯片特征尺寸的进一步减小 以及新的绝缘介质被引入互连层,CMP工艺正面 临着新的挑战。为了降低RC互连延迟,导线问绝 缘需要采用低k介质。目前低J|}实现方法中,多 采用多孔或掺杂结构以降低k值,但

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