17第1章17_501雪崩击穿条件.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 一. pn结击穿与击穿电压 S 1. 击穿现象：反偏情况下流过pn结电流为I 。 若反偏电压达到一定值，反向电流突然急剧 增大，趋于无穷大，称之为pn结击穿。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 一. pn结击穿与击穿电压 2. 击穿电压Breakdown Voltage）VB 发生击穿时的反偏电压称为击穿电压。 测量VB时指反向电流增大到一定值IB （不是无穷大）时的反偏电压。 pn结的主要击穿机理为雪崩击穿和隧道击穿。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 二. 雪崩击穿 1. 雪崩击穿的物理过程 (1) 碰撞电离与碰撞电离率 碰撞电离：载流子在晶体中运动时如果与晶格原子发生碰撞，将能量 传递给晶格上的价电子，使其能够脱离晶格原子束缚，成为自由电子， 从而产生了新的电子-空穴对，称为碰撞电离。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 二. 雪崩击穿 1. 雪崩击穿的物理过程 (1) 碰撞电离与碰撞电离率 碰撞电离率α：一个电子经过单位距离通过碰撞电离产生的电子-空穴 对数目称为电子的电离率，记为αn 。 空穴碰撞电离率α 的含义类似。 p 若忽略电子和空穴碰撞电离率的差别，电离率记为α 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 二. 雪崩击穿 1. 雪崩击穿的物理过程 (1) 碰撞电离与碰撞电离率 按照固体物理结论，碰撞电离率α大小与电场强度E密切相关： B -( )m  E(x)e E(x) 显然，若电场强度较低，则碰撞电离率α趋于0。 只有当电场强度达到一定值时，才可能出现明显的碰撞电离。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 二. 雪崩击穿 1. 雪崩击穿的物理过程 (2) 雪崩倍增 反偏pn结中从p区抽出到n区 的少子电子以及从n区抽出到p区 的少子空穴构成反向饱和电流IS 半导体器件物理(I)