19第1章19_502隧道击穿.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 三. pn结隧道击穿 复习：量子力学中的隧穿概念 即使粒子能量E小于势垒高度V0，但是粒 子仍然有一定概率穿过势垒，称为隧穿。 隧穿概率为： 若势垒深度a较厚，则隧穿概率几乎为0，相当于不发生隧穿。 随着势垒深度a的减小，隧穿概率将指数增加。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 三. pn结隧道击穿 1. pn结隧道击穿机理 反偏情况下，p区中价带顶电子的能量 可能高于n区导带底的电子能量 但中间隔有禁带，按照经典物理结论， p区价带电子不能直接到达n区导带成为自 由电子，参与导电。 反偏情况下，p区中只是导带的少子电子被扫向p区导带，构成反向电流 导电。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 三. pn结隧道击穿 1. pn结隧道击穿机理 根据量子力学隧穿机理，p区价带电子具 有一定概率能够隧穿过禁带到达n区导带， 成为自由电子，构成电流，使反向电流增大。 若隧穿效应很强，反向电流将急剧增大， 从端特性上表现为击穿，称为隧道击穿。 隧道击穿又称为齐纳击穿(Zener Breakdown) ，以纪念该机理的提出者。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 三. pn结隧道击穿 2. 发生隧道击穿的关键因素 记隧道深度为L 根据量子力学原理，隧穿率∝exp(-L) 隧道深度L越小，隧穿率将指数增大 因此隧道深度L是否足够小是能否发生隧 道击穿的关键。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 L E E W 由能带图：  g 得：L g e(WV V  ） e(V V  ） bi a bi a 为了使隧穿效应明显→ 要求隧道深度L↓ → 要求势垒宽度W↓ → 要求掺杂浓度↑ 结论：只有掺杂浓度很高的pn结（掺杂浓度 在 20 3以上）才可能发生隧道击穿。相应 10 /cm 击穿电压很低，只有几伏。 如果掺杂浓度较低，反偏时势垒宽度较宽，L较大，隧穿概率几乎为0，不可 能发生隧穿。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 E W 1-5 pn结击穿