20第1章20_502提高击穿电压途径.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 五. 热电击穿 1. 热电击穿现象 功率器件中pn结反向功率损耗较大，发热会导致pn结温度升高 温升又引起载流子本征载流子浓度指数增加，促使反向电流增大 反向电流增大导致功耗的增加又会使结温继续上升 如果器件散热不良，这种连锁反应会形成电流的急剧增加，导致pn结 损坏 这种反向电流急剧增加表现出的击穿称为热电击穿。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 五. 热电击穿 2. 防止热电击穿的主要措施 (1) 改进工艺，防止pn结内部出现晶格缺陷导致电流局部集中形成局部 过热。 (2) 改善封装设计，提高pn结二极管的散热能力。 (3) 改善使用条件，包括使用散热片，防止散热不良。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 六. 提高击穿电压的技术措施 (1) 降低pn结轻掺杂一侧的掺杂浓度NB 这是提高击穿电压的主要途径。 目前集成电路芯片制造中就是按照击穿电压的要求确定轻掺杂区域的掺 杂浓度。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 六. 提高击穿电压的技术措施 (2) 增加pn结的结深xj ，降低球面结对击穿电压的影响 对于要求击穿电压较高的pn结二极管，在降低轻掺杂一侧掺杂浓度的同 时通常还要增加pn结的结深xj ，满足击穿电压要求。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 六. 提高击穿电压的技术措施 (3) 采用“台面结构”pn结 将柱面结和球面结的部分全部腐蚀掉，只保留平 面结部分。 由于外形成平台状，称之为台面二极管。 B 对于要求击穿电压特别高的pn结二极管，例如要求V 超过1000V的高反压 二极管，通常采用台面结构， 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 六. 提高击穿电压的技术措施 (4) 防止发生热电击穿。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 上面从物理过程和定量分析角度剖析了pn结的击穿。 下一个知识点开始将分析pn结的交流小信号特性。 半导体器件物理(I)