36第2章05_201BJT直流分析数学模型.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 说明：为了便于分析，发射区、基 区、集电区分别采用各自的坐标系 无论那种连接方式，对npn晶 体管，只要VBE0保证BE结正偏， VCB0保证CB结反偏，BJT就工作 于正向放大状态。 实际BJT中 发射区宽度x 有限长（通常x L ） E E E 基区宽度x L B B 集电区宽度x L C C 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 一、理想BJT条件 理想pn结的四个条件再加上： 基区宽度x L B nB 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 一、理想BJT条件 复习：由理想pn结条件，得： 流过pn结的电流等于势垒区 两个边界处少子电流之和； 对少数载流子，只需考虑扩散电流； 对直流情况，n区和p区少子连续性方程为常微分方程。 2  n (x) n (x)-n 例如对p型基区中电子 B - B B0  0 x2 L2 nB 势垒区边界（例如基区中x=0 ）处少子浓度 nB(x=0)=nB0exp(eVBE/kT) 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-2 理想BJT直流电流放大系数定量分析 二、分析思路 I I     ( nE )( nC ) 0 0 T0 I +I I nE pE nE I (x=0) I (x=x )  ( nE )( nC B ) InE (x=0)+IpE (x=0) InE (x=0) 需要求三个电流：I (x’=0)、I (x=0)、I (x=x ) pE nE nC B 分别对应n型E区靠BE结势垒区边界处少子空穴电流IpE(x’=0)、p型基区靠BE 结势垒区以及靠BC结势垒区两个边界处的少子电子电流I