21第1章21_601pn结交流小信号数学模型.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-6 pn结交流小信号特性 一. 理想pn结小信号特性的理论分析 1. 作用于pn结的直流偏置和交流信号描述 若pn结两端直流偏置电压为V ，交流正弦信 0 号电压为vac(t)，则耗尽层两端的电压为 V  V  v ( t) a 0 ac  v (t)  v ejt v (t) 可表示为： ac 1 ac  式中 v1 为相位复数矢量，描述了信号的振幅和相位 ω为信号的角频率 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-6 pn结交流小信号特性 一. 理想pn结小信号特性的理论分析 2. 理想pn结小信号特性分析的近似条件 在理想pn结直流特性分析采用的四个近似 条件基础上增加下述两个条件 ˆ (1) 交流小信号条件：v =v kT / e 1 1 (2) 信号频率ω满足条件：ωτ1 不同时刻随着外加电压变化，势垒区边界少子浓 度随之变化，n区以及p区中少子分布将相应变化。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-6 pn结交流小信号特性 一. 理想pn结小信号特性的理论分析 3. 理想pn结交流小信号特性分析的思路 与理想pn结直流特性分析的思路基本相同。 直流偏置和交流正弦信号共同作用下，p区和n区少子连续性方程同时包 括有时间和空间两个变量。 首先应该从中分离出与时变量相关的方程，并根据相应边界条件，求解 过剩少子分布中的时变部分； 然后采用扩散电流公式分别计算耗尽层两个边界处的少子交流电流，相 加即为流过pn结的交流电流。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-6 pn结交流小信号特性 一. 理想pn结小信号特性的理论分析 4. 直流偏置与交流信号共同作用下的数学模型 （以n区少子空穴为例） (1) n区少子空穴连续性方程 为方便起见，取n区耗尽层边界处为坐标原点 n区少子空穴连续性方程的一般形式为 p (xt, ) 1 J (xt, ) n  p  Gp (x 0) t e x 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称