28第1章28_801pn结模型概述.pdf

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知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-8 pn结模型和模型参数 一. 器件模型和模型参数的含义 1. 电路模拟仿真软件Spice工作原理: 器件 Probe 模型 Capture Spice 器件模型的精度是决定模拟仿真结果是否正确的关键。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-8 pn结模型和模型参数 一. 器件模型和模型参数的含义 2. 器件模型 任何模拟仿真软件(例如Spice )进行电路模拟时,以等效电路的方式 描述元器件的特性,然后建立回路方程、计算求解。 采用的等效电路就是代表元器件的“模型”。 等效是指端特性等效。 3. 模型参数 等效电路中描述元件值的参数就是“模型参数”。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-8 pn结模型和模型参数 二. pn结二极管模型 等效电路中包括四个元件 I :描述pn结I-V特性的电流源 D C :扩散电容 D CJ :势垒结电容 R :串联电阻 S 考虑串联电阻,结电压为:Va=Vapp-ID ×RS 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-8 pn结模型和模型参数 二. pn结二极管模型 复习:几种不同情况下的pn结I 表达式: D (1) 理想模型: I [exp(eV /kT)-1] S a (2) 考虑大注入效应,特大电流时,电流表达式“转化”为: (3) 考虑到势垒区的产生和复合效应,电流应该“叠加”下述表式: ISR [exp(eVa/2kT)-1] (4) 考虑到击穿区的倍增效应,类比正偏条件下电流表达形式,反向 电流还应“叠加”下述表达式:-IBV exp [-e(Va+BV)/kT] 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-8 pn结模型和模型参数 式中涉及五个模型参数: 二. pn结二极管模型 IS 为反向饱和电流 a I 为膝点

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