14第1章14_401势垒产生对反向电流的影响.pdf

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2020-08-18 发布于广东
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知识点名称半导体器件物理(1) 第1章 pn结知识点名称 1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离一. 实际Si二极管I-V特性与理想模型的偏离 1. 正向特性中等电流范围实际特性与理想模型结果一致；小电流范围：实际电流大于理想模型结果；大电流范围：实际电流小于理想模型结果；小电流和大电流范围，电流与外加电压关系为： exp(eV /2kT) a 而不是理想模型的 exp(eV /kT) a 半导体器件物理(I) 第1章 pn结知识点名称 1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离一. 实际Si二极管I-V特性与理想模型的偏离 2. 反向特性实际反向电流大于理想模型结果；实际反向电流不饱和，而是随着反偏电压绝对值的增大而增大。半导体器件物理(I) 第1章 pn结知识点名称 2 CC N (npn- ) 预备知识一：非平衡载流子的复合率 R= n p t i C (n+n)+C (p+p) n p 其中： -(E -E ) -(E -E ) n=N exp C t p =N exp t V C  kT  V  kT      式中：N 为复合中心杂质浓度； t C 和C 分别描述复合中心俘获电子和空穴能力的俘获截面 n p 若C =C ，E =E （即复合中心位于禁带中央）则n’=p’=n ，可得： n p t i i 2 (npn- )i