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知识点名称
半导体器件物理(1)
第1章 pn结 知识点名称
1-6 pn结交流小信号特性
三. 扩散电容
1.扩散电容的定性分析（以n区为例）
(1) n区中正负电荷随结电压的变化
0
t=0 ：在直流偏置V 作用下，n区出现过
n
剩少子空穴δp (x)
对应n区出现正电荷+ △Q0
由电中性原理，n区电子电荷也必然随
之变化-△Q ，n区保持电中性。
0
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-6 pn结交流小信号特性
三. 扩散电容
1.扩散电容的定性分析（以n区为例）
(1) n区中正负电荷随结电压的变化
1 a n
t=t ：正偏电压V ↑导致p (x=0)↑
n区少子空穴分布随之发生变化
导致n区少子空穴正电荷增加
+ d(△Q )
成为 △Q0 0
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-6 pn结交流小信号特性
三. 扩散电容
1.扩散电容的定性分析（以n区为例）
(1) n区中正负电荷随结电压的变化
2 a n
t=t ：正偏电压V ↓导致p (x=0) ↓
n区少子空穴分布随之发生变化
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-6 pn结交流小信号特性
三. 扩散电容
1.扩散电容的定性分析（以n区为例）
(1) n区中正负电荷随结电压的变化
2 a n
t=t ：正偏电压V ↓导致p (x=0) ↓
n区少子空穴分布随之发生变化
导致n区少子空穴正电荷减少
成为 △Q - d(△Q )
0 0
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-6 pn结交流小信号特性
三. 扩散电容
1.扩散电容的定性分析（以n区为例）
(2) 扩散电容
“存储的正、负电荷随着外加电压的
变化而变化”是一种“电容效应”。
这种电容效应与少子的扩散运动相联
系，因此称为扩散电容。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-6 pn结交流小信号特性
三. 扩散电容
2.扩散电容的定量分析
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