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知识点名称
半导体器件物理(1)
第1章 pn结 知识点名称
1-7 pn结瞬态特性
一. pn结开关特点
1. 理性开关与pn结开关对比
本节重点分析从导通转换为断开的过程，介绍物理过程的分析方法。
在双极晶体管部分将对开关的全过程进行详细分析。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-7 pn结瞬态特性
二. pn结从导通转换为断开的瞬态响应
说明：在分析pn结瞬态特性过程中，应该注意下面三个要点：
(1) 基于相关的电路定律确定流过pn结的电流大小和方向：
(2) 势垒区边界处少子浓度大于还是小于平衡少子浓度与势垒区两端电压
Va为正偏还是反偏相对应；
例如：只要势垒边界少子浓度大于平衡少子浓度，说明pn结为正偏；
(3) 少子扩散电流大小与少子分布斜率之间的对应关系
例如：只要少子扩散电流不变，则少子浓度分布应该相互平行。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-7 pn结瞬态特性
二. pn结从导通转换为断开的瞬态响应
1. 分析pn结瞬态特性的原理电路
F R
在开关应用中，代表正负脉冲的电压V 和V
bi
值通常比内建电势V 大得多；
和R 比pn结内部的串联电阻R
外接电阻RF R S
大得多。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-7 pn结瞬态特性
二. pn结从导通转换为断开的瞬态响应
2. 初始状态
外加电压 VF
pn结正偏，处于导通状态（ON）
a a
(1) 结电压V ：pn结正偏，因此V 等于pn结
f
正向导通电压V 。对Si-pn结，约 0.7V。
V -V V
(2) 流过pn结的电流：I=I F f F
F
R R
F F
(3) 可得少子边界浓度与分布（以n区为例）
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
外加电压与流过pn结的电流 n区少子空穴分布
半导体器件物理(I)
第1章 pn结
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