33第2章02_102BJT电流传输过程.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-1 BJT直流放大原理定性分析 二、BJT中的电流传输过程 1. 电压极性和电流方向约定 电压极性指下标第一个字母代 表的电极与第二个字母代表的电极 之间的电压。 例如VBE为基极相对发射极之 间的电压。 若VBE为正值，说明发射结为正偏；若VBE为负值，说明发射结为反偏。 各个电极电流定义方向如图示。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-1 BJT直流放大原理定性分析 二、BJT中的电流传输过程 1. 电压极性和电流方向约定 本节以共基极连接、正向放 大偏置状态下均匀掺杂基区的 npn - BJT为对象，分析BJT 内 部电流传输的物理过程。 对正向放大偏置npn晶体管，VBE0 ，发射结正偏；VCB0 ，集电结反偏。 对npn晶体管，按图示电流方向，IE B C E B C 、I 、I 均大于0，且I = (I + I ) 。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-1 BJT直流放大原理定性分析 二、BJT中的电流传输过程 2. 电流传输过程 (1) BE结：正偏。 发射区将向基区注入（或称 为“发射”) 电子，形成电流InE 同时基区向发射区注入空穴， 形成IpE 。 说明：箭头为载流子运动方向。 I = I +I 显然： E nE pE 宽度描述电流大小。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-1 BJT直流放大原理定性分析 二、BJT中的电流传输过程 2. 电流传输过程 (2) 基区 注入到基区的电子是基区中的 少子。注入基区后以扩散方式通 过基区 在通过基区的过程中被复合掉一部分，与到达BC结基区一侧的少子电子 相应的电流记为InC，与InE之差就是在基区中被复合掉的电流，记为IRB。 半导体器件物理(I) 第2章 BJT直流放大特性 知识点名称 2-1 BJT直流放大原理定性分析 二、BJT中的电流传输过程 2. 电流传输过程 (2) 基区 注入到基区的电子是基区中的 少子。注入基区后以扩散方式通 过基区 在通过基区的过程中被复合掉一部分，与到达BC结基区一侧的少子电子 相应的电流记为InC，与InE之差就是在基区中被复合掉的电流，记为IRB。 IRB