49第3章5_BC结势垒电容充放电时常数.pdf

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知识点名称 半导体器件物理(1) 第3章 BJT频率特性 知识点名称 3-2 共基极α频率特性(f )的定量分析 α 五、集电结势垒电容Cjc 充放电的影响 1. 共基极BJT输出端交流等效电路 (1) 基于BJT结构的等效电路 图中C和B分别是BJT的集电极和基极引出端。 C’和B’分别是BJT 内部CB结势垒区靠集电区和靠基区一侧的位置。 R 为集电区串联电阻。 R 为基区的串联电阻。 C B inc(xdc)为通过CB结势垒区进入集电区的少子电流。 Cjc 为CB结势垒电容。 半导体器件物理(I) 第3章 BJT频率特性 知识点名称 3-2 共基极α频率特性(f )的定量分析 α 五、集电结势垒电容Cjc 充放电的影响 1.共基极BJT输出端交流等效电路 (2) 实用的BJT输出端交流等效电路 i c 按照定义 = i e 输出cb交流短路 因此作为交流等效电路,应该将输出端C-B短路。 实际BJT中,虽然R 阻值通常是R 的10倍以上,但是i 通常是i 的100倍 B C c b 以上,因此与R 上电压相比,R 上电压可以忽略不计。 C B 交流等效电路中可以将R 短路。 B 半导体器件物理(I) 第3章 BJT频率特性 知识点名称 3-2 共基极α频率特性(f )的定量分析 α 五、集电结势垒电容Cjc 充放电的影响 1.共基极BJT输出端交流等效电路 (2) 实用的BJT输出端交流等效电路 i c 按照定义 = i e 输出cb交流短路 因此作为交流等效电路,应该将输出端C-B短路。 实际BJT中,虽然R 阻值通常是R 的10倍以上,但是i 通常是i 的100倍 B C c b 以上,因此与R 上电压相比,R 上电压可以忽略不计。 C B 交流等效电路中可以将R 短路。 B 半导体器件物理(I) 第3章 BJT频率特性

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