16第1章16_403大注入和串联电阻对大电流的影响.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离 四.导致偏离的原因之三：大注入对pn结正向大电流的影响 a 复习1: pn结正向电流以及少子边界浓度与V 的关系 回顾定量分析过程可知，理想pn结正向电流与外 exp(eV /kT) 中的指数项来自 加电压Va之间指数关系I=Is a 于耗尽层边界处少子浓度与Va之间的指数关系： a a p (x ) =p (x )exp(eV /kT) ；n (-x )=n (-x )exp(eV /kT) n n n0 n p p p0 p 复习2:势垒区中的电子-空穴浓度乘积与外加电压的关系 2 (-x  x  x ) n(x)p(x) n exp(eV /kT) p n i a 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-4 实际pn结I-V特性与理想模型的偏离 四.导致偏离的原因之三：大注入对pn结正向大电流的影响 1. 特大注入条件下少子边界浓度与V 之间的关系 a 特大注入指注入的非平衡少子浓度远大于平衡多子浓度，因此得： n (x )=n (x ) +△n(x ) ≈ △n(x ) ； p (x )=p (x ) +△p(x ) ≈ △p(x ) n n n0 n n n n n n0 n n n 由电中性条件：△n(x ) = △p(x ) 因此得x 处：n (x )=p (x ) n n n n n n n 2 (-x  x  x ) 代入 n(x)p(x) n exp(eV /kT) p n i a p (x )n exp(eV /2kT) 得x 处少子边界条件为 n n i a n 同理得-x 处少子边界条件为 n (-x ) n exp(eV /2kT) p p p i a 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-4 实际pn结I-V特性与理