18第1章18_501雪崩击穿电压.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 二. 雪崩击穿 3. 雪崩击穿电压 (1) 雪崩击穿电压的定量分析 关于临界电场Ecrit 的概念： 雪崩击穿条件为：m= (x)dx  W B m -( ) 根据固体物理结论：  Ex( )e E(x) 碰撞电离率高低强烈依赖于电场强弱，势垒宽度的宽窄起次要作用。 即只有当电场达到一定值时才可能发生击穿，称为临界电场，记为Ecrit 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 二. 雪崩击穿 3. 雪崩击穿电压 (1) 雪崩击穿电压的定量分析 基于临界电场的概念，只有当势垒区中Emax达到Ecrit时才会击穿 因此击穿电压就是使得势垒区最大电场达到Ecrit时的反偏电压 以p+n结为例: E =E =(eN x )/ε crit max d n 2V 1 1 E2 1 其中：x  ( R )2 得 VB  ( crit ) n e Nd 2e Nd 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 1-5 pn结击穿 二. 雪崩击穿 E2 1 p+n结: V  ( crit ) B 3. 雪崩击穿电压 2e Nd (2) 单边突变结的雪崩击穿电压 2 E 1 单边突变结雪崩击穿电压的表达式： VB  ( crit ) 2e N B B 式中N 为轻掺杂一侧的掺杂浓度 显然，击穿电压与轻掺杂一侧的掺杂浓度密切相关。 掺杂浓度越低，则击穿电压越高。 若要求提高击穿电压，应该降低轻掺杂一侧的掺杂浓度。 半导体器件物理(I)