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知识点名称
半导体器件物理(1)
第1章 pn结 知识点名称
1-7 pn结瞬态特
二. pn结从导通转换为断开的瞬态响应
4. 导通转向断开的第二阶段：恢复阶段
(1) ttS后流过pn结的电流
在I作用下，n区少子空穴继续被抽出
pn(0)pn0 ，pn结进入反偏，呈现“高阻”
回路电流下降，小于IR ；
随着n区少子空穴继续被抽出，pn(0) →0
回路电流为pn结的反向饱和电流IS 。
pn结呈现一个开关的稳定“断开”状态。
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
外加电压与流过pn结的电流 n区少子空穴分布
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-7 pn结瞬态特
二. pn结从导通转换为断开的瞬态响应
4. 导通转向断开的第二阶段：恢复阶段
(2) 衰减时间 (Decay Time)
R
从工程应用角度考虑，回路电流I从I 下降
到0.1IR，即认为pn结呈现一个开关的“断开”
状态；
从t 开始，到电流I下降到0.1I 所需要的
S R
时间称为衰减时间，记为：t
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
外加电压与流过pn结的电流 n区少子空穴分布
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-7 pn结瞬态特
二. pn结从导通转换为断开的瞬态响应
5. 断开时间tOFF (Turn-off Time)
pn结从导通转向断开所需时间称为断开时间
记为tOFF
断开时间等于存储时间与衰减时间之和。
即： t =t +t
OFF S
半导体器件物理(I)
第1章 pn结 知识点名称
1-7 pn结瞬态特
三. 影响断开时间的主要因素
1. 断开时间的定量分析结论
解与时间有关的连续性方程，可得存储时间
和衰减时间。
+
分析可得，对单边突变 p n 结
I
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