29第1章29_802pn结电流源模型解读.pdf

知识点名称 半导体器件物理(1) 第1章 pn结 知识点名称 1-8 pn结模型和模型参数 二. pn结二极管模型 1．电流源ID (3) 通用表达式的解读 第一项综合描述了理想模型和特大注入效应； 第二项描述了势垒产生-复合效应； 第三项描述反向倍增击穿对反向电流的影响。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 复习：不同电压范围采用不同模型计算的电流大小比较 对小电流和中等电流范围的V ，采用理想模型计 a 算得到的I 远小于膝点电流IKF ； 对特大注入电流范围的V ，采用理想模型计算得 a 到的I 远大于膝点电流IKF ； 对小电流范围的V ，采用势垒产生-复合效应模型 a 计算得到的I 远大于理想模型结果； 对中等和大电流范围的V ，采用势垒产生-复合效 a 应模型计算得到的I 远小于理想模型结果。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 第一项综合描述了理想模型和 特大注入效应； 按照理想模型，式中参数N=1； 为了考虑实际情况不会精确等于1，采用参数N，称为理想模型电流发射 因子； 显然模型参数N的默认值为1。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 第一项综合描述了理想模型和 特大注入效应； 一般注入情况(中等电流)，理想模型结果ISexp(eV /NkT-1)远小于膝点电流IKF a S a 则得 ID=I [exp(eV /NkT)-1] 对应理想模型结果。 特大注入下，理想模型结果ISexp(eV /NkT-1) 远大于膝点电流IKF a 则得： 对应特大注入情况结果。 半导体器件物理(I) 第1章 pn结 知识点名称 第二项描述了势垒产生-复合效应； J Spice软件用V 代表内建电势。 SR a R 其中I [exp(eV /N kT)-1]代表了势垒产生-复合电流的定量分析结果。 R 按照势垒复合电流的定量分析，式中参数N 应为2； 为了考虑实际情况不会精确等于2，采用参数NR ，称为势垒复合电流发射 因子； 显然模型参数N 的默认值为2 。 R