模电半期练习.docx

模电》半期练习 、单项选择题 1 、稳压二极管是利用二极管的 ( ）特性。 A .反向击穿 B .反向截止 C ．正向导通 D ．单向导电 2、三极管处于饱和工作状态 的外部条件是（ ） 。 三极管处于正常放大工作状态． 的外部条件是（ ) 三极管处于截止工作状态． 的外部条件是（ ） A ．发射结正偏，集电结正偏 B． 发射结反偏， 集电结反偏 C ．发射结正偏，集电结反偏 D． 发射结反偏， 集电结正偏 3、共模抑制比是衡量（ ）。 A ?对差模信号的放大能力 B． 对共模信号的放大能力 C ?放大差模信号抑制共模信号的综合能力 D ?放大共模信号抑制差模信号的综合能力 4 、通常希望放大电路有（ ）。 A ?较高的输入阻抗，较高的输出阻抗 B ?较低的输入阻抗，较低的输出阻抗 C ?较高的输入阻抗，较低的输出阻抗 D ?较低的输入阻抗，较高的输出阻抗 5、根据下列要求，将应优先考虑使用的集成运放填入空内。 已知现有集成运放的类型是： A通用型 B高阻型 C高速型 D低功耗型 E 高压型 F 大功率型 G 高精度型 TOC \o 1-5 \h \z （1） 作低频放大器，应选用（ ）。 （2） 作宽频带放大器，应选用（ ）。 （3 ）作幅值为1凶以下微弱信号的测量放大器，应选用（ ）。 5） 负载需 5A 电流驱动的放大器，应选用（ ）。 6） 要求输出电压幅值为± 80V 的放大器，应选用（ ）。 （ 7 （ 7）宇航仪器中所用的放大器，应选用（ 6、 互补输出级采用共集形式是为了使（ A ?电压放大倍数大 B.不失真输出电压大 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A. 增大 B. 减小 C. 先增大后减小 ）。 ）。 C ?带负载能力强 D 、稳定放大倍数 ）。 D. 先减小后增大 8、工作在放大区的某三极管，如果当 IB从12叭增大到22叭时，IC从1mA变为2mA , TOC \o 1-5 \h \z 那么该三极管B约为（ ）。 A. 50 B.100 C. 150 D. 200 9、直接耦合放大电路存在零点漂移的最主要的原因是（ ）。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定 10、集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。 A.便于设计 B.易于放大交流信号 C.不易制作大容量电容 D.各级电路之间不会互相影响 11 、差分放大电路的共模信号是两个输入端信号的（ ）。 A.差 B.和 C.平均值 D.乘积 12、集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）。 D. 制造过程简便A.指标参数准确 B.参数不受温度影响 C. D. 制造过程简便 、填空题 1、 P型半导体内的多子是 ，少子是 。N型半导体内的多子是 ，少子 TOC \o 1-5 \h \z 是 。本征半导体的载流子是 ，导体中的载流子是 。 2、 PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 PN结加反向电压时，空间电荷区将 。 3、 设差分放大电路两个输入端的交流信号有效值为 10和8,则差模信号是 ，共模信 P.曰 号是 。 4、 NPN型共射放大器输出波形的正半周（波峰）削顶了，则该 NPN型共射放大器产生的 失真是 失真，若输出波形负半周（波谷）失真，贝U称为 失真。 选用差分放大电路的原因是 。 9、 在本征半导体中加入 价元素可形成N型半导体，通过加入 价 元素可形成P型半导体。 10、 工作在放大区的某三极管，如果当 Ib从12 S增大到32叭时，Ic从1mA变为2mA , 那么它的卩约为 。 11、 扩散电流的大小由 决定；漂移电流的大小由 决定 12、 集成运放一般由 、 、 、 这四部分电路组成 14、 复合晶体管中的第一支管为PNP型，31 =80 ,第二支晶体管为NPN型， 31 =50 ,则该复合晶体管的3= ,类型为 型。 15、 若第一级放大电路为共射放大电路，放大倍数 100，第二级为共集放大电路， 放大倍数 0.99，则组成的二级放大电路的放大系数 Au= 。 16、 若第一级放大电路为共射放大电路，放大倍数 50，第二级也为共射放大电路，放大倍 数80 ,则组成的二级放大电路的放大系数 Au= 。 17、 通用型集成运放的输入级通常为 电路，中间级为 电路，输出级 为 电路。 18、温度升高，二极管正向特性曲线向 移，温度升高，反向特性曲线向 温度升高，三极管输入特性曲线向 移动，温度升高，三极管输出特性曲线向 （请选择上、下、左、右填入 ） 三、判断题（对画，错画X） 1、 本征半导体的导电性很好，是制作二极管、三极管元件的基本材料。（ TOC \o 1-5 \h \z 2、 半导体中多子的浓度受温度影响很大；（ ） 3、 少子的