光伏发电的原理培训.ppt

光伏发电原理简述 光伏产业链 硅料 硅片 硅料 硅片 电池片 组件 电站 光伏发电的原理 N型半导体 P型半导体 -纯净硅晶体中掺入5价杂质磷/砷/锑,N型半导体； -如果掺入的是三价的硼/镓，则会形成P型半导体。 光伏发电的原理 -N区的电子扩散至P区，自身带正电； -P区空穴被电子填补（接受电子）带负电，PN结形成。 光伏发电原理简述 光伏电池发电原理---光生伏打效应 - 光照PN结将电子从共价键中激发，产生电子-空穴对； 电子向带正电的N区运动，空穴向带负电的P区运动，形成电压和电流。如果将P-N结两端开路。可以测得这个电动势，称之为开路电压Uoc。对晶体硅电池来说，开路电压值为0.5～0.6V。如果将外电路短路则外电路中就有与入射光能量成正比的电流通过。这个电流成为短路电流Isc。 通过光照在界面层产生的电子-空穴愈多，电流愈大。界面层吸收的光能愈多，界面层即电池面积愈大，在太阳电池中形成的电流也愈大。 E 太阳光 硅料制作硅片的概述 从硅料---到硅片 硅料 高纯多晶硅是制备硅片的原材料 - 冶金级、太阳能级和电子级多晶硅  多晶硅制取方法 - 改良西门子法、硅烷法和流化床法。  太阳能电池用硅片 - P型硅片---掺杂B(硼)、Al（铝）、Ga（镓）、In（铟） - N型硅片--- P（磷）、Sb（锑）、As(砷) 硅片 硅料制作硅片的工艺概述 单晶拉制 多晶铸锭： 1.直拉法（Cz）：利用旋转的籽晶从坩埚中的溶液提拉制备出单晶的方法 2.区熔法（Fz）：采用高频率线圈从外围来加热溶解多晶棒，在与籽晶接触后移动线圈的方法制备单晶 3.定向凝固法----在结晶过程中，通过控制温度场的变化，形成单方向热流（生长方向与热流方向相反），并要求液固界面处的温度梯度大于0，横向则要求无温度梯度，从而形成定向生长的柱状晶 。 硅片制作电池片的工艺概述 硅片---电池 制绒 扩散 刻蚀 镀膜 印刷烧结 测试 硅片制作电池片的工艺概述 制绒与清洗： 制绒即表面织构化，是通过腐蚀的办法形成硅片面微结构，从而增加光线在硅片表面的入射次数，降低硅片表面的反射率。 单晶硅制绒是采用低浓度碱液对硅片表面进行各向异性腐蚀，而在硅片表面形成金字塔结构。 多晶硅制绒则是采用硝酸和氢氟酸的混合溶液对硅片表面进行各向同性腐蚀，而在硅片表面形成腐蚀坑结构。 制绒后经过酸清洗而获得洁净的硅片表面。 硅片制作电池片的工艺概述 硅片制绒后的表面 硅片制作电池片的工艺概述 磷扩散制作PN结： 工序是在高温下，使磷单质由硅片表面扩散到体内零点几微米处，将表面层反型为N型，并在N型表面层和体内P型层交界处形成PN结。 PN结是太阳电池的心脏，而磷扩散则是晶体硅太阳电池制作工艺的核心。通常利用氮气携带三氯氧磷的蒸汽进入石英管内，经高温热分解并与硅表面发生反应后而生成磷单质，然后以磷原子的形式向硅片体内扩散，而在表面层下形成PN结。该方法均匀性、重复性好，工艺成熟。 硅片制作电池片的工艺概述 磷扩散和PN结 硅片制作电池片的工艺概述 背腐蚀（刻蚀）： 刻蚀作为太阳能电池生产中的第三道工序，其主要作用是去除扩散后硅片四周的N型硅，防止漏电。 一般采用干式刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀原理： 干法刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性升成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌（这是各向同性反应）。 湿法刻蚀原理： 大致的腐蚀机制是HNO3氧化升成SiO2，HF再去除SiO2。水在张力的作用下吸附在硅片表面。 去PSG顾名思义，其作用是去掉扩散前的磷硅玻璃。反应方程式是：SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 硅片制作电池片的工艺概述 PECVD（镀膜）： PECVD氮化硅薄膜不仅具有减反射的作用，而且很好的钝化硅片表面，在工艺中氢原子还可以扩散到硅片体内，而获得“体钝化”的效果，非常有利于电池片转换效率的稳定和提升。 硅片制作电池片的工艺概述 丝网印刷和烧结： 该工序是在硅片表面丝网印刷,上金属电极浆料，经过高温烧结后，浆料固化成金属电极与硅片形成欧姆接触，达到收集和导出光电流的目的。 该工序的四个步骤： 1）印刷背电极浆料及烘干 2）印刷背面铝浆料及烘干 3）印刷正面栅电极浆料 4）金属电极共烧结 硅片制作电池片的工艺概述 丝网印刷和烧结后 硅片制作电池片的工艺概述 I—V特性测试与自动分拣： 在标准测试条件（AM1.5