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第一章半导体器件 模电子技基础简明教程 11半导体的特性 12半导体二极管 1.3双极型三极管(BJT) 14场效应三极管 DK 今第一章芈导体器件岭 11半导体的特性 半导体:导电性能介于导体和半导体之间的物质。大 多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。 价电子 (b)简化模型 (a)硅的原子结构图 图11.1硅原子结构 DK 今第一章芈导体器件岭 111本征半导体 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导 体称为本征半导体 将硅或锗材 料提纯便形成单 价电 晶体,它的原子 共价键 结构为共价键结 构 当温度T=0K时,半 导体不导电,如同绝缘体。 图1.1.2单晶体中的共价键结构 DK 今第一章芈导侦器件岭 若T个,将有少数价 T↑ 电子克服共价键的束缚成 为自由电子,在原来的共 价键中留下一个空位 空穴。 空穴 自由电子 自由电子和空穴使本 征半导体具有导电能力, 但很微弱。 空穴可看成带正电的 载流子。 图1.1.3本征半导体中的 自由电子和空穴 DK 今第一章芈导侦器件岭 带负电的自由电子 1.半导体中两种载流子 带正电的空穴 2.本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现, 称为电子-空穴对。 3.本征半导体中自由电子和空穴的浓度用n1和p1 表示,显然n1=P1 4.由于物质的运动,自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下,产生与复合运动会达到 平衡,载流子的浓度就一定了。 5.载流子的浓度与温度密切相关,它随着温度的升 高,基本按指数规律增加。 DK 今第一章芈导侦器件岭 112杂质半导体∫N型半导体 P型半导体 、N型半导体 掺入少量的5价杂质元素,如磷、锑、砷等 硅原子 电子浓度多于空穴浓度,即 +4°·(+4)·(+4·np。电子为多数载流子, 多余电子 空穴为少数载流子。 5)·(+ t⑥ 磷原子 DK 今一章芈导体器件岭 二、P型半导体 掺入少量的3价杂质元素,如硼、镓、铟等 空穴浓度多于电子 4 浓度,即pn。空穴 为多数载流子,电子为 空穴 少数载流子 受主 f06909 O. e 图1.1.5P型半导体的晶体结构 DK 今第一章芈导侦器件岭 12半导体二极管 121PN结及其单向导电性 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体,另 一侧掺杂成为N型半导体,两个区域的交界处就形成了 个特殊的薄层,称为PN结。 PN结 N e⊕⊕d oMoO 6⊕ 图12.1PN结的形成 DK 今一章芈导体器件心 PN结中载流子的运动 电子和空穴 浓度差形成多数 090 0.06 载流子的扩散运 动 2.扩散运动 耗尽层 空简电荷区 形成空间电荷区 PN结耗○○⊙e 尽层。 Oje oo 0:o 121|98④ DK 今第一章芈导侦器件岭一 3.空间电荷区产生内电场 空间电荷区正负离子之间电位差UD—电位壁垒; 内电场;内电场阻止多子的扩散—阻挡层 4.漂移运动 阻挡层 内电场有利 空间电荷区 于少子运动一漂⊙e⊕e: 移 与多子运动方向9:④ed 相反 内电场 图1.2.1(b)