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第二章半导体器件基础 内容提要 半导体基础知识 晶体二极管 特殊二极管 晶体三极管 2.1半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子的运动方式及形成的电流 PN结及其单向导电性 2.1.1半导体 半导体及其材料 电阻率:数值上等于单位长度、单位截面的某种物质的电阻。 导体:电阻率p小于103g·cm 绝缘体:p大于10g·cm 半导体:p介于导体和绝缘体之间。 常用半导体材料有: 硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等 本征半导体 本征半导体—化学成 单晶体 制造半导体器件的半导 常称为“九个9”。 半导体的原子结构: 硅(Si) 锗(Ge) 本征半导体概念 半导体的共价键结构 共价键中的 两个价电子 原子核 共价键+4 o● 本征半导体的导电机理 本征激发产生的空穴 本征激发(热激发) 价电子受热或受光 照(即获得一定能量) 4 后,可挣脱原子核的束 缚,成为自由电子(带 价电子 负电),同时共价键中 o^、八 留下一个带正电的空穴。 +4 4 该现象称为本征激发(热激发)八· 本征激发产生的自由电子 本征半导体的导电机理 自由电子 空穴 本征激发(热激发) 在热激发下,本征半导体中存 ;重 在两种能参与导电的载运电荷 的粒子(载流子) 4 成对的电子和空穴 章0六 价电子 复合—一自由电子回到共 /(+4) 价键结构中的现象。此时电 、。 子空穴成对消失 本征半导体的导电机理 自由电子和空穴成对产生的同时,又不断复合。 在一定温度下,载流子的产生和复合达到动态平衡, 半导体中载流子便维持一定的数目 T=300K时电子浓度 硅:n=p=1.5×10°/cm3锗:n=P=2.5×10°/cm 铜:n2=8.5×10-/cm 注意: (1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差 (2)温度越高,载流子的数目越多,半导体的导电性能也就越好。 可见,温度对半导体器件性能影响很大