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电子显微镜的现状与展望
电子显微镜(简称电镜,EM)经过五十多
年的发展已成为现代科学技术中不可缺
少的重要工具。我国的电子显微学也有
了长足的进展。电子显微镜的创制者鲁
斯卡( E Ruska)教授因而获得了1986年诺
贝尔奖的物理奖
·电子与物质相互作用会产生透射电子,弹性散射电子,能量
损失电子,二次电子,背反射电子,吸收电子,X射线,俄
歇电子,阴极发光和电动力等等。电子显微镜就是利用这些
信息来对试样进行形貌观察、成分分析和结构测定的。电子
显微镜有很多类型,主要有透射电子显微镜(简称透射电镜
TEM)和扫描电子显微镜(简称扫描电镜,SEM)两大类
扫描透射电子显微镜(简称扫描透射电镜,STEM则兼有两
者的性能。为了进一步表征仪器的特点,有以加速电压区分
的,如:超高压(1MV)和中等电压(200-500kV)透射电镜、
低电压(~1kV)扫描电镜;有以电子枪类型区分的,如场发
射枪电镜;有以用途区分的,如高分辨电镜,分析电镜、能
量选择电镜、生物电镜、环境电镜、原位电镜、测长CD-扫
描电镜;有以激发的信息命名的,如电子探针X射线微区分
析仪(简称电子探针,EPMA)等。
·半个多世纪以来电子显微学的奋斗目标主
要是力求观察更微小的物体结构、更细小
的实体、甚至单个原子,并获得有关试样
的更多的信息,如标征非晶和微晶,成分
分布,晶粒形状和尺寸,晶体的相、晶体
的取向、晶界和晶体缺陷等特征,以便对
材料的显微结构进行综合分析及标征研究。
近来,电子显微镜(电子显微学),包括扫描
隧道显微镜等,又有了长足的发展。本节
仅讨论使用广泛的透射电镜和扫描电镜,
并就上列几个方面作一简要介绍。
透射电子显微镜
1、高分辨电子显微学及原子像的观察
材料的宏观性能往往与其本身的成分、结构以及晶体
缺陷中原子的位置等密切相关。观察试样中单个原子像是
科学界长期追求的目粽。一个原子的直径约为1千方分之
2-3mm。因此,要分辨出每个原子的位置需要0.1nm左
右的分辨本领,并把它放大约1千万倍。70年代初形成的
高分辨电子显微学(HREM)是在原子尺度上直接观察分析
物质微观结构的学料。计算机图像处理的引入使其进一步
向超高分辨率和定量化方向发展,同时也开辟了一些崭新
AR用:间套蛋料物商
的
处理技术,为分子生物学开拍了一个崭新的域。因而
获得了1982年诺贝
的化学奖,以表彰他在发展晶体电
子显微学及核酸一蛋白质复合体的晶体学结构方面的卓越
贡献
用HREM使单个原子成像的一个严重困难是信号/噪声比
太小。电子经过试样后,对成像有贡献的弹性散射电
损失能量、只改变运动方向)所点的百分比太低,而非弹性
散射电子(既损失能量又改变运动方向)不相干,对成像无
贡献直形成亮的背底(亮场),因而非周期结构试样中的单
个原子像的反差极小。在档去了未散射的直透电子的暗场
象中,由于提高了反差,才能观察到其中的重原子:例如
铺和针BCA中的铀z=92和针(2=90)原
对于晶体
试样,原子阵列会加强成像信息。采用超高压电子显微镜
和中等加速电压的高亮度、高相干度的场发射电子枪透射
电镜在特定的离焦条
Scherzer欠焦)下拍摄的薄晶体
高分辨像可以获得直接与晶体原子结构相对应的结构像
再用图像处理技术,例如电子晶体学处理方法,已能从
200kV的JEM2010F场发射电镜(点分辨本领0.194m)拍
摄的分辨率约02nm的照片上获取超高分辨率结构信息,
成功地测定出分辨率约
·0.1nm的晶体结构[6]。
2.像差校正电子显微镜
电子显微镜的分辨本领由于受到电子透镜球差
的限制,人们力图像光学透镜那样来减少或消除球差。但
是,早在1936年 Scherzer就指出,对于常用的无空间电荷
且不随时间变化的旋转对称电子透镜,球差恒为正值。在
40年代由于兼顾电子物镜的衍射和球差,电子显微镜的理
论分辨本领约为0.5nm。校正电子透镜的主要像差是人们长
期追求的目标。经过50多年的努力,1990年RoSe提出用六
极校正器校正透镜像差得到无像差电子光学系统的方法。
最近在CM200ST场发射枪200kV透射电镜上增加了这种六
极校正器,硏制成世界上第一台像差校正电子显微镜。电
镜的高度仅提高了24cm,而并不影响其它性能。分辨本领
由0.24nm提高到0.14nm[7]。在这台像差校正电子显微
镜上球差系数减少至005mm(50um)时拍摄到了GaAs
〈110)〉取向的哑铃状结构像,点间距为014m[8]。
3、原子尺度电子全息学
Gabor在1948年当时难以校正电子透镜球差的情况下提出了电子
全息的基本原理和方法。论证了如果用电子束制作全息图,记录电子
写电子光学的像差相几配,就能特到无像差的、分辨率更高的像。由
这种光室息
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