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第一章 半导体二极管 半导体的基础知识 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 （如硅Si、 锗 Ge）。 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统 称为载流子。 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导 体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素 （多 子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素 （多子是电子，少子是空穴）。 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与 温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为 另外一种杂质半导体。 PN 结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约 为 0.2~0.3V * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止 8. PN结的伏安特性 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同PN结。 *正向导通压降 ——硅管0.6~07，锗管0.2~0.3V。 *死区电压 ——硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法 ——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V阳VV阴（反偏），二极管截止（开路）。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q。 （a）二极 （a）二极管电路 ＜b）图解分析 2）等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高 低： 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）; 若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。 *三种模型 理抱模型 理抱模型 微变等效电路法 !_ 曲 （Cl）小信号模电 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在 PN结的反向击穿区， 所以稳压二极管在电路中要反向连接 稳压咛的伏安待杵 第二章三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 类型---分为NPN和PNP两种。 特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高， 与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积 较大。 二.三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 阎共发射极组态 ⑹共蕖电极组态 何次基极组态 三极管内各极电流的分配 址=/cBO = /bn + JcN = /b + /C 如=/bn - icHO *共发射极电流放大系数 （表明三极管是电流控制器件 語 Zc=A/b r 1 ）/CBO 种届 式子n/m, 称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管 hie---输出端交流短路时的输入电阻， （：心测试出路0 liEE/V （：心测试出路 0 liEE/V b）输入持性曲线 *输出特性曲线（饱和管压降，用 UCES表示 放大区---发射结正偏，集电结反 *输出特性曲线 （饱和管压降，用 UCES表示 放大区---发射结正偏，集电结反 0 ??/v 输出特性曲线 偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏 4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高Go、Ice。、Ic以及 加。 EAi仏 三.低频小信号等效模型（简 三.低频小信号等效模型（简 （r）简化的H参数習效电賂 化） 常用rbe表示; hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用B表示； 基本放大电路组成及其原则 VT、 Vcc VT、 Vcc、 Rb、 Rc、Ci、 作用。 组成原则----能放大、不失真、 输。 五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 VT + c2的 —W 基本放大电路的划惯画法 能传 *直流负载线---由Vcc=IcRc+Uce确定的直线 *电路参数对静态工作点的影响 Ca)改变左 Ca)改变左h (b)改变仏 (c)改变坨r 改变Rb : Q点将沿直流负载线上下移动。 改变Rc : Q点在Ibq所在的那条输出特性曲线上移动。 改变Vcc :直流负载线平移， Q点发生移动。 2.交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路，理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线---连接Q点和 V CC 点 V CC = U ceq + I cqR L 的 直线。 静态工作点与非线性失真 （1） 截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。 *消除方法---减小