TSMC工艺的_版图教程.docxVIP

PAGE PAGE # 目录 TOC \o 1-5 \h \z \o Current Document 前端电路设计与仿真 2 \o Current Document 第一节双反相器的前端设计流程 2 \o Current Document 1、画双反相器的 visio 原理图 2 \o Current Document 2、编写 .sp 文件 2 \o Current Document 第二节后端电路设计 4 一、开启 linux 系统 4 \o Current Document 2、然后桌面右键重新打开 Terminal 6 \o Current Document 双反相器的后端设计流程 7 \o Current Document 一、 schematic 电路图绘制 7 \o Current Document 二、版图设计 21 \o Current Document 画版图一些技巧： 29 \o Current Document 三、后端验证和提取 30 \o Current Document 第三节后端仿真 37 \o Current Document 其它知识 40 前端电路设计与仿真 第一节双反相器的前端设计流程 1、画双反相器的visio原理图 VDd in — fa VDd J MO T M2 out M3 图1.1 其中双反相器的输入为in输出为out, fa为内部节点。电源电压Vdd=1.8V,MOS 管用的是TSMC的1.8V典型MOS管（在Hspice里面的名称为pch和nch,在 Cade nee里面的名称为pmos2v和nm os2v）。 2、编写?sp文件 新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件 具体实例.sp文件内容如下： XPFiU ”即 寄工密 Xi■“ lib F;5E*M F齐《?1”1|*匕?1?1 11 ■*r*f jwdiifci “■ ■h? imi 嘴pj W ?ul l M mN Hh ?-mr A?r-9.M4P -19 盹.■?罰 感?取卒* 4?*?!1 再— ■ iiuL id prii qM Kh ■-$才■ TH AS-I-IBW 13i rQ^--!!,■■? M ITE- I bBH? U ■4**仏*?1*1# inri-1?^?IH + *亠下鼻如理阴厲号**■**?***■■ VI In t 1.. I： WrE toE fcE 4ffri feK I I? — t.e^ ■3 lintf 4 ? *i ?ul 4 ?! 3?—崛]!曼側剧伏hl 3?—崛]!曼側剧伏hl曲皿―?■— —Him f?Sbt 和 jn . Im. tw .■』*? Ir jn m |# -TR[E vfi?) UM-^i-i Ti-taa rlw1 .NdMt ir-rib q*ll -Mm 巩■■ iwirlL* T4?r inii-1* HR rE -Mm 巩■■ iwirlL* T4?r inii-1 」ib F:\Program Files\synopsys\f018.l TT 是 TSMC 用于仿真的模型文件位置 和选择的具体工艺角*****这里选择TT工艺角*********** 划红线部分的数据请参考excel文件《尺寸对应6参数》，MOS管的W不同 对应的6个尺寸是不同的， 但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。 划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致 MOS场效应晶体管描述语句：（与后端提取pex输出的网表格式相同） MMX D G S B MNAME L=val W= val AD= val AS= val PD= val PS= val NRD= val NRS= val 2.1、在wind owXP开始--程序这里打开 Hspice程序 H NSPICE Z-2007.03 | Avanwaves Z-200T. 03 T| Microstuft Office ? w HSPICE MT Z-200T. 03 说 HSFICE Z-20C7.03 n STICE Explorer 20(17. ] ? 劈 HSFICEEF Z-2OOT.O3 V 曲1 Hspui Z-20Q7.O3 | 2.2、弹出以下画面然后进行仿真 Eih CWi [■?! 1 ■ ■ ■- 存放.sp文件的地址 r?* 阳云s■両ssws LpfH昭 ||- hteaKxiFMinraaaiddhKM^Uuahsw.bn 1、打开.sp文件Ml LLIdi 1 1、打开.sp 文件 Ml LL Idi 1