4.2.1 MOS电容器的电荷存储.pdf

4.2 CCD的电荷存储与耦合转移 4.2.1 MOS电容器的电荷存储 MOS电容器的电荷存储 CCD工作过程 CCD的电荷存储 CCD(Charge-Coupled Devices)电荷耦合器件：基于MOS (金属－氧 化物－半导体）电容器在非稳态下工作的一种器件。 MOS电容器的基本结构： • 硅片上生长一层SiO 层，厚度为d 2 ox • 蒸镀上一层金属铝为栅电极，栅极外接电压VG • 半导体作为底电极,称为衬底,由于电子迁移率高,多数CCD选用 P型硅作衬底。 电荷储存机制：利用电子可以被高电势吸引的特性，做出高于周围 电势的部分，信号电荷 （电子）就可在此存储 稳态下的MOS电容器状态 ⚫ VG=0 ，Si表面载流子浓度 与体内相同，呈电中性，不 存在空间电荷区，能带为平 坦的，此为“平带状态”。 稳态下的MOS电容器状态 ⚫ VG=0 ，Si表面载流子浓度 与体内相同，呈电中性，不 存在空间电荷区，能带为平 坦的，此为“平带状态”。 ⚫ VG0 ，电场使Si内部的可移动空穴集中到 Si-SiO 界面，Si表面形成多数载流子的积累 2 层，此为“积累状态”。 热平衡时，V 的一部分降落在SiO 层内，其 G 2 余部分将作用于半导体引起表面势。 V V +V G SiO 中的压降 s 表面势 2 稳态下的MOS电容器状态 •VG0 ，Si表面处留下一层离化的受主离子，此为 多数载流子“耗尽状态”。 •VGVth0, 表面处电子浓度超过空穴浓度，已有P型变为N型， 这种状况为 “反型状态”。 从反型层到半导体内部之间还夹有耗尽层。 弱反型：表面处电子浓度开始超过空穴浓度; 强反型：表面处反型载流子浓度已达到体内多数 载流子浓度。 稳态下的MOS电容器状态 在强反型状态下，表面电子浓度随V 增加而按指数规律增长， s 而V 随耗尽层厚度x 呈二次函数增加。 s d 一旦出现反型层，则 • 耗尽层厚度x 达到最大值，且不随V 而变化。 d G • 表面出现强反型状态时，对应外加偏压VG 为阈值电压 （开启电 压），常用Vth表示。 • 由于反型层中的电子实际上是被限制在表面附近能量最低的一 个狭窄区域，故称反型层为沟道。 P型半导体的表面反型层由电子构成，故称N型沟道。 非稳态下的MOS电容器——电荷存储原理 问题的关键： -12 • 在电压加到栅极上的瞬间，在介电弛豫时间(10 s)之内， 半导体中只有多数载流子空穴能跟上变化，少数载流子电 子取决于产生－复合过程 （还没来得及生成），故尽管VG Vth ，反型层还没形成。 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺） 非稳态下的MOS电容器——电荷存储原理 ⚫ V 的大部分压降V 落在半导体表面的空间电荷区上，只有小 G s 部分落到SiO 上。 2 ⚫ 故而，该形成反型层的空间上没有电子，只有空的电子势阱， 也就是说表面还处在载流子耗